[發(fā)明專利]用于在襯底上沉積有機膜的設備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410017455.4 | 申請日: | 2014-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN104112826A | 公開(公告)日: | 2014-10-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金基鉉 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;C23C14/56;C23C14/04;C23C14/12 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;楊莘 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 襯底 沉積 有機 設備 | ||
1.一種薄膜沉積設備,包括:
處理室;
襯底支承件,包括配置成支承所述處理室中的襯底的平坦表面;
沉積源,配置成將用于沉積的有機材料供給至所述襯底上;
沉積掩模組件,包括在所述處理室中設置成彼此分開的第一輥和第二輥;
薄膜掩模卷,具有繞所述第一輥卷繞的第一端和繞所述第二輥卷繞的第二端,其中沉積掩模限定在第一平面上并且所述薄膜掩模卷的一部分在所述第一輥與所述第二輥之間延伸;以及
襯底輸送機構(gòu),配置成在所述處理室內(nèi)在平行于所述第一平面的第二平面上轉(zhuǎn)移所述襯底支承件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設備,其中所述薄膜掩模卷包括聚合物、金屬、或玻璃材料中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設備,其中所述沉積掩模組件還包括移動單元,所述移動單元配置成使所述第一輥和所述第二輥相對于所述襯底支承件移動。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜沉積設備,其中所述移動單元包括:
輥支承構(gòu)件,包括具有開放頂部的箱,所述第一輥和所述第二輥位于所述開放頂部附近,其中所述沉積源位于所述箱中;以及
驅(qū)動器,配置成使所述輥支承構(gòu)件移動。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜沉積設備,其中所述移動單元包括:
輥支承構(gòu)件,相對于所述沉積掩模位于所述沉積源的相對側(cè)并與所述第一輥和所述第二輥相接合;以及
驅(qū)動器,配置成使所述輥支承構(gòu)件移動。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜沉積設備,其中所述驅(qū)動器包括:
旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器,配置成使所述輥支承構(gòu)件繞垂直于所述第一平面的旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn);
第一線性驅(qū)動器,配置成使所述輥支承構(gòu)件在所述旋轉(zhuǎn)軸線的方向上線性地移動;
第二線性驅(qū)動器,配置成使所述輥支承構(gòu)件在平行于所述第一平面的第一方向上線性地移動;以及
第三線性驅(qū)動器,使所述輥支承構(gòu)件在垂直于所述第一方向且平行于所述第一平面的第二方向上線性地移動。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積設備,其中所述薄膜掩模卷可包括一個或多個額外的沉積掩模,所述沉積掩模包括彼此不同的沉積圖案并設置在所述薄膜掩模卷的長度方向上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜沉積設備,其中所述襯底支承件配置成裝載將使用從所述沉積圖案中選擇的一個沉積圖案進行沉積的襯底;以及
其中所述第一輥和所述第二輥可配置成旋轉(zhuǎn)以使所述沉積掩模的被選擇的沉積圖案放置在所述第一輥與所述第二輥之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜沉積設備,其中所述襯底支承件配置成裝載將使用從所述沉積圖案中選擇的至少兩個沉積圖案進行沉積的襯底;以及
其中所述第一輥和所述第二輥配置成隨所述襯底支承件、所述第一輥和所述第二輥、以及所述沉積源的相對運動進行旋轉(zhuǎn),使得所述沉積掩模的被選擇的沉積圖案順序地提供在第一輥與第二輥之間,以沉積所述襯底上的不同區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜沉積設備,其中所述襯底支承件配置成相對于所述第一輥和所述第二輥在平行于所述沉積掩模的方向上移動。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜沉積設備,其中所述第一輥和所述第二輥以及所述沉積源配置成相對于所述襯底支承件在平行于所述襯底的方向上移動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
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