[發明專利]可提高發光效率的外延PGaN層生長結構在審

申請號：	201410016758.4	申請日：	2014-01-14
公開（公告）號：	CN103779467A	公開（公告）日：	2014-05-07
發明（設計）人：	郭文平;鐘玉煌;姜紅苓	申請（專利權）人：	江蘇新廣聯科技股份有限公司
主分類號：	H01L33/14	分類號：	H01L33/14
代理公司：	無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104	代理人：	曹祖良
地址：	214192 江蘇省無錫***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	提高發光效率外延 pgan 生長結構
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【權利要求書】：

1.一種可提高發光效率的外延PGaN層生長結構，包括襯底（1）及生長于所述襯底（1）上的半導體發光結構，所述半導體發光結構包括生長于襯底（1）上的緩沖層（2），所述緩沖層（2）上生長有N型化合物半導體材料層（3），所述N型化合物半導體材料層（3）上生長有有源層（4）；所述有源層（4）上生長有電子溢出阻擋層（5）；其特征是：所述電子溢出阻擋層（5）上生長P型化合物半導體材料層（6），所述P型化合物半導體材料層（6）內生長有P型InGaN-GaN超晶格層（7）。

2.根據權利要求1所述的可提高發光效率的外延PGaN層生長結構，其特征是：所述P型化合物半導體材料層（6）的厚度為100~800nm，P型InGaN-GaN超晶格層的厚度為10~300nm。

3.根據權利要求1所述的可提高發光效率的外延PGaN層生長結構，其特征是：所述襯底（1）為藍寶石襯底或氮化鎵襯底。

4.根據權利要求1所述的可提高發光效率的外延PGaN層生長結構，其特征是：所述N型化合物半導體材料層（3）為N型GaN層。

5.根據權利要求1所述的可提高發光效率的外延PGaN層生長結構，其特征是：所述P型化合物半導體材料層（6）為P型GaN層。

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