[發(fā)明專利]LED多量子阱結(jié)構(gòu)裝置及生長方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410016436.X | 申請日： | 2014-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN103779465B | 公開（公告）日： | 2018-04-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蔡武;鄭遠(yuǎn)志;周德保;楊東;陳向東;康建;梁旭東 | 申請（專利權(quán)）人： | 圓融光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205 | 代理人： | 劉芳 |
| 地址： | 243000 安徽省馬鞍山*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | led 多量 結(jié)構(gòu) 裝置 生長 方法 | ||
1.一種LED多量子阱結(jié)構(gòu)裝置，其特征在于，包括：
能帶能被調(diào)控的LED多量子阱結(jié)構(gòu)，所述LED多量子阱結(jié)構(gòu)從下往上包括依次交替生長的勢壘層、銦組分遞減的第一勢阱層以及銦組分遞增的第二勢阱層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述勢壘層的厚度為5～20nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一勢阱層的厚度為1～3nm，所述第一勢阱層中銦組分遞減的差值范圍為1%～15%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二勢阱層的厚度為1～3nm，所述第二勢阱層中銦組分遞增的差值范圍為1%～15%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述勢壘層、所述第一勢阱層以及所述第二勢阱層為一組，交替生長周期為3～15組。
6.一種LED多量子阱結(jié)構(gòu)裝置的外延生長方法，其特征在于，包括：
步驟1、在LED多量子阱結(jié)構(gòu)裝置之下從下往上依次生長低溫緩沖層、非故意摻雜層、n型摻雜層以及量子阱過度層；
步驟2、生長所述LED多量子阱結(jié)構(gòu)裝置，所述LED多量子阱結(jié)構(gòu)裝置包括能帶能被調(diào)控的LED多量子阱結(jié)構(gòu)，所述LED多量子阱結(jié)構(gòu)從下往上依次交替生長勢壘層、銦組分遞減的第一勢阱層以及銦組分遞增的第二勢阱層；
步驟3、在所述LED多量子阱結(jié)構(gòu)裝置之上從下往上依次生長p型摻雜層與金屬接觸層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟2中生長勢壘層包括：在生長溫度為800～950℃下，生長厚度為5～20nm的所述勢壘層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟2中生長銦組分遞減的第一勢阱層包括：
在生長溫度為700～800℃下，生長銦組分遞減的差值范圍為1%～15%、厚度為1～3nm的所述第一勢阱層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟2中生長銦組分遞增的第二勢阱層包括：
在生長溫度為700～800℃下，生長銦組分遞增的差值范圍為1%～15%、厚度為1～3nm的所述第二勢阱層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6～9任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述步驟2中，所述勢壘層、所述第一勢阱層以及所述第二勢阱層為一組，交替生長周期為3～15組。
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