[發明專利]制作PN結隔離結構的方法及PN結隔離結構

在審

• 申請號: 201410016417.7
• 申請日: 2014-01-14
• 公開（公告）號: CN104779194A
• 公開（公告）日: 2015-07-15
• 發明（設計）人: 馬萬里
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L27/04
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

1.一種制作PN結隔離結構的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

步驟S1：在P型襯底上形成凸起部。

步驟S2：在凸起部的表面上注入P型離子，形成第一P型摻雜區。

步驟S3：在P型襯底上生長N型外延層。

步驟S4：在N型外延層表面注入P型離子，形成在厚度方向上與第一P型摻雜區位置對應的第二P型摻雜區。

步驟S5：使用高溫退火進行驅入，使得N型外延層表面的第二P型摻雜區與凸起部表面的第一P型摻雜區對接，從而形成PN結隔離結構。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于，步驟S1具體包括：

步驟S11：在P型襯底上依次形成二氧化硅層和氮化硅層；

步驟S12：在P型襯底上預定的凹槽區域進行刻蝕，形成間隔排布的狹槽和保留凸起；

步驟S13：在狹槽中通入氧氣，將所有保留凸起中含有的硅氧化成二氧化硅；

步驟S14：去除氮化硅層和表層的二氧化硅；

步驟S16：去除剩余的二氧化硅。

3.根據權利要求2的方法，其特征在于，步驟S2在步驟S14和步驟S16之間進行。

4.根據權利要求2的方法，其特征在于，狹槽的寬度和保留凸起的寬度之比為0.46：0.54。

5.根據權利要求1至4其中任一項的方法，其特征在于，所述注入P型離子的能量為50-100Kev，摻雜的劑量為1E15個/cm²。

6.根據權利要求1至4其中任一項的方法，其特征在于，P型離子為硼離子。

7.根據權利要求1至4其中任一項的方法，其特征在于，高溫退火的溫度設置為1100-1200攝氏度，時間為2-10小時。

8.根據權利要求2至4其中任一項的方法，其特征在于，去除氮化硅層的方式為采用熱濃磷酸，去除二氧化硅的方式為采用含有氫氟酸的溶液。

9.一種PN結隔離結構，包括P型襯底，位于P型襯底之上的N型外延層，P型襯底上具有伸入N型外延層的凸起部，從凸起部的一定高度處到N型外延層的表面形成有連續的P形摻雜區域。

10.根據權利要求9的PN結隔離結構，其特征在于，該PN結隔離結構由權利要求1-8任一項所述的制作PN結隔離結構的方法形成。