[發明專利]一種硅鋁生長界面的處理方法和一種用于生長鋁的硅片

有效

• 申請號: 201410016410.5
• 申請日: 2014-01-14
• 公開（公告）號: CN104779155B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發明（設計）人: 陳兆同;馬萬里;趙文魁
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司11002
• 代理人: 李迪

1.一種硅鋁生長界面的處理方法，其特征在于，包括：

利用氫氟酸清洗硅片；

利用去離子水超聲清洗得到清潔的硅片表面；

氧化所述清潔的硅片表面，生成一層1nm～2nm厚度均勻的二氧化硅氧化層。

2.根據權利要求1所述的硅鋁生長界面的處理方法，其特征在于，所述氧化所述清潔的硅片表面包括：

利用NH₄OH+H₂O₂+H₂O溶液清洗氧化硅片表面。

3.根據權利要求2所述的硅鋁生長界面的處理方法，其特征在于，所述利用NH₄OH+H₂O₂+H₂O溶液清洗氧化硅片表面包括：

利用比例為1:2:10的NH₄OH+H₂O₂+H₂O溶液，在溫度45℃～90℃下清洗氧化硅片表面5～10分鐘。

4.根據權利要求1所述的硅鋁生長界面的處理方法，其特征在于，所述氧化所述清潔的硅片表面包括：

利用HCL+H₂O₂+H₂O溶液清洗氧化硅片表面。

5.根據權利要求4所述的硅鋁生長界面的處理方法，其特征在于，所述利用HCL+H₂O₂+H₂O溶液清洗氧化硅片表面包括：

利用比例為1:2:10的HCL+H₂O₂+H₂O溶液，在溫度45℃～90℃下清洗氧化硅片表面5～10分鐘。

6.根據權利要求1所述的硅鋁生長界面的處理方法，其特征在于，所述氧化所述清潔的硅片表面包括：

利用H₂SO₄+H₂O₂溶液清洗氧化硅片表面。

7.根據權利要求6所述的硅鋁生長界面的處理方法，其特征在于，所述利用H₂SO₄+H₂O₂溶液清洗氧化硅片表面包括：

利用比例為3:1～4:1的H₂SO₄+H₂O₂溶液，在溫度120℃～150℃下清洗氧化硅片表面5～10分鐘。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的硅鋁生長界面的處理方法，其特征在于，所述生成一層1nm～2nm厚度均勻的二氧化硅氧化層包括：生成一層1nm厚度均勻的二氧化硅氧化層。

9.一種用于生長鋁的硅片，其特征在于，包括：清潔的硅片襯底，和1nm～2nm厚度均勻的二氧化硅氧化層；所述二氧化硅氧化層覆蓋在所述清潔的硅片襯底上。

10.根據權利要求9所述的用于生長鋁的硅片，其特征在于，所述1nm～2nm厚度均勻的二氧化硅氧化層為：

1nm厚度均勻的二氧化硅氧化層。