[發明專利]超結橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管及其制作方法

在審

• 申請號: 201410016374.2
• 申請日: 2014-01-14
• 公開（公告）號: CN104124274A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 段寶興;袁小寧;董超;范瑋;朱樟明;楊銀堂
• 申請（專利權）人: 西安后羿半導體科技有限公司;西安電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種超結橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，包括第一導電類型的半導體襯底和形成在所述半導體襯底表面的有源區和柵區，所述有源區包括：

第一導電類型的基區；

第二導電類型的源區，形成在所述基區中；

第二導電類型的漏區，所述源區和漏區位于所述柵區的兩側；

橫向超結結構，包括橫向交替排列的N型柱區和P型柱區，位于所述基區和漏區之間，其特征在于，

所述有源區還包括第二導電類型的埋區，形成在所述半導體襯底中，并位于所述橫向超結結構的下方。

2.根據權利要求1所述的超結橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特征在于，所述埋區靠近所述漏區設置。

3.根據權利要求1所述的超結橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特征在于，所述埋區的寬度小于橫向超結結構的寬度。

4.根據權利要求1-3任一項所述的超結橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特征在于，所述埋區的橫截面為規則圖形。

5.根據權利要求1-3任一項所述的超結橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特征在于，所述埋區的縱截面為規則圖形。

6.一種如權利要求1-5任一項所述的超結橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管的制作方法，包括在一第一導電類型的半導體襯底的表面形成有源區和柵區的步驟，所述形成有源區的步驟包括：

在所述半導體襯底中形成第一導電類型的基區；

在所述基區中形成第二導電類型的源區；

在所述半導體襯底中形成第二導電類型的漏區，所述源區和漏區位于所述柵區的兩側；

在所述基區和漏區之間形成橫向超結結構，所述橫向超結結構包括橫向交替排列的N型柱區和P型柱區，其特征在于，

所述形成有源區的步驟還包括：

在所述半導體襯底中形成第二導電類型的埋區，所述埋區位于所述橫向超結結構的下方。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，在靠近所述漏區的位置形成所述埋區。

8.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述半導體襯底中形成第二導電類型的埋區的步驟包括：

在所述半導體襯底中形成第二導電類型的區域；

在所述第二導電類型的區域的表面形成第一導電類型輕摻雜的外延層。