[發明專利]等離子體處理方法和等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201410016335.2
• 申請日: 2014-01-14
• 公開（公告）號: CN103928285A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 勝沼隆幸;本田昌伸;市川裕展
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H05H1/46
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種等離子體處理方法，其特征在于，

該等離子體處理方法包括以下工序：

成膜工序，在該成膜工序中，將配置在腔室的內部的第一構件的溫度調整為低于其他構件的溫度，并利用不含有氧的含硅氣體的等離子體在上述第一構件的表面上形成氧化硅膜；

等離子體處理工序，在該等離子體處理工序中，在上述第一構件的表面上形成上述氧化硅膜之后，利用處理氣體的等離子體對輸入到上述腔室的內部的被處理體進行等離子體處理；以及

去除工序，在該去除工序中，在將經等離子體處理過的上述被處理體輸出到上述腔室的外部之后，利用含氟氣體的等離子體自上述第一構件的表面去除上述氧化硅膜。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，

上述第一構件包括上述腔室的內壁和配置在上述腔室的內部的下部電極，上述其他構件包括在上述腔室的內部與上述下部電極相對的上部電極，

在上述成膜工序中，將上述腔室的內壁和上述下部電極的溫度調整為低于上述上部電極的溫度，并在上述腔室的內壁和上述下部電極的表面上形成上述氧化硅膜。

3.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，

在上述成膜工序中，施加偏置電壓。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的等離子體處理方法，其特征在于，

上述含硅氣體含有SiCl₄和SiF₄中的至少任意一種。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的等離子體處理方法，其特征在于，

上述含氟氣體含有NF₃、SF₆以及CF₄中的至少任意一種。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的等離子體處理方法，其特征在于，

上述含硅氣體還含有稀有氣體。

7.根據權利要求6所述的等離子體處理方法，其特征在于，

上述稀有氣體為Ar或He。

8.一種等離子體處理裝置，其特征在于，

該等離子體處理裝置包括：

腔室，其用于對被處理體進行等離子體處理；

排氣部，其用于對上述腔室的內部進行減壓；

氣體供給部，其用于向上述腔室的內部供給處理氣體；

控制部，其用于執行成膜工序、等離子體處理工序以及去除工序，在該成膜工序中，將配置在上述腔室的內部的第一構件的溫度調整為低于其他構件的溫度，并利用不含有氧的含硅氣體的等離子體在上述第一構件的表面上形成氧化硅膜；在等離子體處理工序中，在上述第一構件的表面上形成上述氧化硅膜之后，利用處理氣體的等離子體對輸入到上述腔室的內部的上述被處理體進行等離子體處理，在該去除工序中，在將經等離子體處理過的上述被處理體輸出到上述腔室的外部之后，利用含氟氣體的等離子體自上述第一構件的表面去除上述氧化硅膜。