[發(fā)明專利]蝕刻液及其制備方法與應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410015519.7 | 申請日: | 2014-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN103755147A | 公開(公告)日: | 2014-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 梁曉;唐洪;田博 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類號: | C03C15/00 | 分類號: | C03C15/00 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 關(guān)暢 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區(qū)北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蝕刻 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種蝕刻液組合物,包括如下各組分:式I所示磺酸類化合物、草酸、甲叉膦酸鹽類絡(luò)合物和水;
式I
所述式I中,R1為-CH2-、-C2H4-、-C3H6-或-C4H8-。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物,其特征在于:所述蝕刻液組合物由所述式I所示磺酸類化合物、草酸、甲叉膦酸鹽類絡(luò)合物和水組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的組合物,其特征在于:所述甲叉膦酸鹽類絡(luò)合物選自式II所示氨基三甲叉膦酸四鈉、式III所示乙二胺四甲叉膦酸五鈉和式IV所示二乙烯三胺五甲叉膦酸七鈉中的至少一種;
式II
式III
式IV。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的組合物,其特征在于:所述式I所示磺酸類化合物為乙二磺酸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的組合物,其特征在于:所述水為去離子水,所述水中的總金屬離子濃度不大于500納克/升,具體為不大于50納克/升。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的組合物,其特征在于:所述蝕刻液組合物為由如下各質(zhì)量百分含量的組分組成:
式I所示磺酸類化合物:0.5-10%;
草酸:1-15%;
甲叉膦酸鹽類絡(luò)合物:0.1-5%;
余量為水。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的組合物,其特征在于:所述蝕刻液組合物為由如下各質(zhì)量百分含量的組分組成:
式I所示磺酸類化合物:1-5%;
草酸:2-8%;
甲叉膦酸鹽類絡(luò)合物:0.5-3%;
余量為水。
8.一種制備權(quán)利要求1-7任一所述蝕刻液組合物的方法,包括如下步驟:將權(quán)利要求1-7任一所述各組分于20-30℃混勻,得到所述蝕刻液組合物。
9.權(quán)利要求1-7任一所述蝕刻液組合物在蝕刻導(dǎo)電膜中的應(yīng)用。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的應(yīng)用,其特征在于:所述導(dǎo)電膜為ITO膜。
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