[發明專利]片式LTCC微型3dB定向耦合器

有效

• 申請號: 201410015382.5
• 申請日: 2014-01-14
• 公開（公告）號: CN103825076B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發明（設計）人: 王衛蘭
• 申請（專利權）人: 深圳順絡電子股份有限公司
• 主分類號: H01P5/18
• 分類號: H01P5/18
• 代理公司: 深圳市中知專利商標代理有限公司44101
• 代理人: 張皋翔

1.一種片式LTCC微型3dB定向耦合器，包括上接地板、下接地板、介于兩接地板之間的多層基片（1）以及貼附在基片（1）之上的耦合帶狀線，其特征在于：所述端口為四個分別印刷在底層基片（1）底面四角且具有50歐姆阻抗輸入的依次相鄰分布的第一端口（P1）、第二端口（P2）、第三端口（P3）和第四端口（P4），第一端口（P1）和第三端口（P3）分別通過設置在各層基片（1）上對應的導電通道（2）與位于頂部A層基片（A）上的第一不對稱帶狀線（TL1）和第三不對稱帶狀線（TL3）相接，第一不對稱帶狀線（TL1）經設于A層基片（A）中部的第一導電通孔（3）與設置在A層基片（A）之下B層基片（B）上的呈回轉形圖案的第一耦合帶狀線（CL1）的一端相連，第三不對稱帶狀線（TL3）經設于A層基片（A）側部的第三導電通孔（5）與所述第一耦合帶狀線（CL1）的另一端相連；第二端口（P2）和第四端口（P4）分別通過設置在多層基片（1）上對應的導電通道（2）與位于B層基片（B）下方D層基片（D）上的第二不對稱帶狀線（TL2）和第四不對稱帶狀線（TL4）相接，第四不對稱帶狀線（TL4）經設于D層基片（D）之上C層基片（C）中部的第四導電通孔（6）與設置在C層基片（C）上的呈回轉形圖案的第二耦合帶狀線（CL2）的一端相連，第二不對稱帶狀線（TL2）經設于C層基片（C）側部的第二導電通孔（4）與所述第二耦合帶狀線（CL2）的另一端相連；所述A層基片（A）、B層基片（B）、C層基片（C）和D層基片（D）由上至下依次疊置，所述第一耦合帶狀線（CL1）和第二耦合帶狀線（CL2）長度為輸入信號中心頻率的四分之一波長，其間寬邊帶狀耦合。

2.根據權利要求1所述的片式LTCC微型3dB定向耦合器，其特征在于：所述第一耦合帶狀線（CL1）和第二耦合帶狀線（CL2）呈直角回轉形圖案。

3.根據權利要求1所述的片式LTCC微型3dB定向耦合器，其特征在于：所述第一耦合帶狀線（CL1）和第二耦合帶狀線（CL2）呈橢圓回轉形圖案。

4.根據權利要求1所述的片式LTCC微型3dB定向耦合器，其特征在于：所述基片（1）為高頻低損耗介質，其相對介電常數為4.8。

5.根據權利要求1所述的片式LTCC微型3dB定向耦合器，其特征在于：所述導電通道（2）為設置在各層基片（1）或多層基片（1）上的導通孔（21）通過灌入其中的銀漿柱或相鄰導通孔（21）間的銀漿帶（22）連通構成。

6.根據權利要求5所述的片式LTCC微型3dB定向耦合器，其特征在于：上下二層基片（1）上的導通孔（21）在垂直方向上錯位設置。

7.根據權利要求1—6中任一項所述的片式LTCC微型3dB定向耦合器，其特征在于：該定向耦合器頻帶寬度在800-1000MHz。

8.根據權利要求7所述的片式LTCC微型3dB定向耦合器，其特征在于：所述上下接地板之間的垂直距離為1.25mm，所述不對稱帶狀線的厚度×寬度為0.01mm×0.3mm，所述第一耦合帶狀線（CL1）與第二耦合帶狀線（CL2）之間的垂直距離為0.039mm。

9.根據權利要求8所述的片式LTCC微型3dB定向耦合器，其特征在于：所述中心頻率為900MHz。