[發明專利]CD控制方法

在審

• 申請號: 201410014551.3
• 申請日: 2014-01-13
• 公開（公告）號: CN104779177A
• 公開（公告）日: 2015-07-15
• 發明（設計）人: 易旭東
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種CD控制方法，用于制作半導體器件的氧化層溝槽，所述半導體器件包括襯底，所述襯底中形成有STI，形成于所述襯底上的氧化層，其特征在于，所述CD控制方法包括：

獲得所述氧化層厚度與CD的關系曲線；

測量實際的氧化層溝槽的深度是否等于設定值，如果不相等則根據公式Energy(Split)＝Energy(BL)+[CD(split)-CD(BL)]*slope計算實際的曝光能量，按照所述實際的曝光能量進行光刻工藝；其中Energy(Split)表示實際的曝光能量，Energy(BL)表示設定的曝光能量，CD(split)是氧化層厚度與CD的關系曲線中實際的氧化層厚度所對應的關鍵尺寸，CD(BL)是氧化層厚度與CD的關系曲線中氧化層厚度設定值所對應的關鍵尺寸，Slope為固定常數。

2.如權利要求1所述的CD控制方法，其特征在于，如果實際的氧化層溝槽的深度等于設定值，則按照設定的曝光能量進行光刻工藝。

3.如權利要求1或2所述的CD控制方法，其特征在于，通過曝光能量和氧化層厚度模擬出所述氧化層厚度與CD的關系曲線。

4.如權利要求3所述的CD控制方法，其特征在于，所述氧化層厚度

5.如權利要求3所述的CD控制方法，其特征在于，所述CD的范圍是0.3～0.6μm。

6.如權利要求1或2所述的CD控制方法，其特征在于，所述進行光刻工藝包括：

在所述氧化層上涂敷光刻膠；

對所述光刻膠進行曝光顯影，去除位于所述STI上方的光刻膠，暴露出部分氧化層。

7.如權利要求6所述的CD控制方法，其特征在于，所述CD控制方法還包括：在進行光刻工藝后，進行刻蝕工藝，去除所述暴露的氧化層，暴露出所述STI。

8.如權利要求1所述的CD控制方法，其特征在于，所述Slope的值為50～1000。