[發(fā)明專利]發(fā)光二極管結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410014540.5 | 申請日： | 2014-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN104779328B | 公開（公告）日： | 2018-02-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李玉柱 | 申請（專利權）人： | 新世紀光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發(fā)光二極管 結構 | ||
1.一種發(fā)光二極管結構，其特征在于，包括：
基板；
N型半導體層，配置于該基板上；
發(fā)光層，適于發(fā)出主要發(fā)光波長介于365奈米至490奈米之間的光，且配置于該N型半導體層上；以及
P型半導體層，配置于該發(fā)光層上，且包括P型氮化鋁鎵層，其中該P型氮化鋁鎵層的厚度占整體該P型半導體層的厚度的85％以上，
其中，該P型氮化鋁鎵層包括第一P型氮化鋁鎵層以及第二P型氮化鋁鎵層，且該第一P型氮化鋁鎵層中的鋁含量不同于該第二P型氮化鋁鎵層中的鋁含量，
其中，該第一P型氮化鋁鎵層位于該第二P型氮化鋁鎵層與該發(fā)光層之間，且該第一P型氮化鋁鎵層中的鋁含量大于該第二P型氮化鋁鎵層中的鋁含量，
其中，該第一P型氮化鋁鎵層中的P型摻質濃度大于該第二P型氮化鋁鎵層中的P型摻質濃度。
2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該P型半導體層為該P型氮化鋁鎵層。
3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該P型半導體層還包括P型氮化鎵層，配置于該P型氮化鋁鎵層上，且該P型氮化鎵層的厚度占整體該P型半導體層的厚度的15％以下。
4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該第一P型氮化鋁鎵層的材料為AlxGa1-xN，其中x為0.09～0.2。
5.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該第二P型氮化鋁鎵層的材料為AlyGa1-yN，其中的y為0.01～0.15。
6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該第二P型氮化鋁鎵層的厚度大于該第一P型氮化鋁鎵層的厚度。
7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該第一P型氮化鋁鎵層中的P型摻雜濃度大于該第二P型氮化鋁鎵層的P型摻雜濃度。
8.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該P型半導體層還包括P型氮化鋁銦鎵層，配置于該P型氮化鋁鎵層與該發(fā)光層之間。
9.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，該N型半導體層為N型氮化鎵層。
10.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，還包括：
N型電極，配置于未被該發(fā)光層所覆蓋的該N型半導體層上，且與該N型半導體層電性連接；以及
P型電極，配置于該P型半導體層上，且與該P型半導體層電性連接。
11.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管結構，其特征在于，還包括：
透明導電層，配置于該P型半導體層上。
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