[發明專利]底部防反射層形成方法有效
| 申請號： | 201410014457.8 | 申請日： | 2014-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN104779178B | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發明（設計）人： | 鄒永祥;王鹢奇;楊曉松;王躍剛;易旭東 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 底部 反射層 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種底部防反射層形成方法，其特征在于，包括：
S1：向晶圓表面滴底部防反射層；
S2：旋轉所述晶圓3～8秒；
S3：在所述底部防反射層還未固化時，向所述晶圓邊緣滴洗邊液，同時旋轉所述晶圓13～18秒。
2.如權利要求1所述的底部防反射層形成方法，其特征在于，步驟S1中，所述晶圓靜止。
3.如權利要求1所述的底部防反射層形成方法，其特征在于，步驟S1中，所述晶圓旋轉速度為100～500轉/分鐘。
4.如權利要求1所述的底部防反射層形成方法，其特征在于，步驟S1中，滴液量是2～4ml。
5.如權利要求1所述的底部防反射層形成方法，其特征在于，步驟S1中，向所述晶圓的中心滴底部防反射層。
6.如權利要求1所述的底部防反射層形成方法，其特征在于，步驟S2中，所述晶圓旋轉速度為1000～3000轉/分鐘。
7.如權利要求1所述的底部防反射層形成方法，其特征在于，步驟S3中，所述晶圓旋轉速度為1000～2000轉/分鐘。
8.如權利要求1所述的底部防反射層形成方法，其特征在于，步驟S3中，洗邊液流量為30～70ml/min。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
