[發(fā)明專利]一種VDMOS器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410014444.0
• 申請(qǐng)日: 2014-01-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104779288B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬萬(wàn)里
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;宋林清

1.一種VDMOS器件，包括外延層和形成在外延層上的柵極氧化層和場(chǎng)氧化層，所述場(chǎng)氧化層表面形成有多晶硅層，其特征在于，還包括源區(qū)接觸孔和柵極接觸孔，所述柵極接觸孔的開(kāi)口與所述場(chǎng)氧化層相對(duì)設(shè)置，所述柵極接觸孔在外延層上的投影位于場(chǎng)氧化層覆蓋范圍內(nèi)；所述源區(qū)接觸孔和所述柵極接觸孔為硅孔，所述源區(qū)接觸孔和所述柵極接觸孔內(nèi)注入P型離子；所述柵極氧化層表面形成有介質(zhì)層，所述柵極接觸孔貫穿所述介質(zhì)層并伸入到多晶硅層中，所述源區(qū)接觸孔形成在源區(qū)，并貫穿所述介質(zhì)層和柵極氧化層后伸入到外延層中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VDMOS器件，其特征在于，所述源區(qū)接觸孔和柵極接觸孔通過(guò)同一刻蝕工藝形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任何一項(xiàng)所述的VDMOS器件，其特征在于，所述外延層在位于場(chǎng)氧化層的兩側(cè)形成有分壓環(huán)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-2任何一項(xiàng)所述的VDMOS器件，其特征在于，所述外延層形成在襯底的一側(cè)，所述襯底的另一側(cè)形成有金屬層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-2任何一項(xiàng)所述的VDMOS器件，其特征在于，所述外延層中還形成有溝槽圖案，所述溝槽的側(cè)壁形成有柵極氧化層。

6.一種VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：

形成一外延層，并在所述外延層上形成柵極氧化層和場(chǎng)氧化層，以及在所述場(chǎng)氧化層表面形成有多晶硅層；

形成源區(qū)接觸孔和柵極接觸孔，所述柵極接觸孔的開(kāi)口與所述場(chǎng)氧化層相對(duì)設(shè)置，所述柵極接觸孔在外延層上的投影位于場(chǎng)氧化層覆蓋范圍內(nèi)；

所述源區(qū)接觸孔和所述柵極接觸孔為硅孔，所述源區(qū)接觸孔和所述柵極接觸孔內(nèi)注入P型離子；

所述柵極氧化層表面形成有介質(zhì)層，所述柵極接觸孔貫穿所述介質(zhì)層并伸入到多晶硅層中，所述源區(qū)接觸孔形成在源區(qū)，并貫穿所述介質(zhì)層和柵極氧化層后伸入到外延層中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述源區(qū)接觸孔和柵極接觸孔通過(guò)同一刻蝕工藝形成。