[發明專利]顯示設備和用于驅動顯示設備的方法

有效

• 申請號: 201410014259.1
• 申請日: 2014-01-13
• 公開（公告）號: CN104216555B
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 南熙;金范植;權俊一
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;H01L27/32;G09G3/32
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 嚴芬;康泉

1.一種顯示設備，包括：

多個像素，形成在基板上方；和

至少一個傳感器，形成在所述多個像素中的至少一個中，與形成在所述基板上方的薄膜晶體管相鄰布置在相同的垂直水平，并且在形成所述薄膜晶體管時一起形成，其中所述傳感器被配置為檢測所述基板的彎曲和施加至所述基板的壓力。

2.根據權利要求1所述的顯示設備，其中所述傳感器包括：

變形層，具有被配置為根據所述基板的彎曲或施加至所述基板的壓力中的至少一個而改變的電阻，其中所述變形層包括彼此相對的第一側和第二側；

驅動電極，電連接至所述變形層的所述第一側；和

檢測電極，電連接至所述變形層的所述第二側，

其中所述薄膜晶體管包括：i)有源層，包括溝道區、設置在所述溝道區兩側的源區和漏區，ii)柵電極，形成在所述有源層的所述溝道區的上部，iii)源電極，電連接至所述有源層的所述源區，以及iv)漏電極，電連接至所述有源層的所述漏區，并且

其中所述變形層形成在與所述有源層相同的層上，其中所述驅動電極形成在與所述柵電極相同的層上，并且其中所述檢測電極形成在與所述源電極或所述漏電極相同的層上，

其中所述有源層由硅形成，并且其中所述源區和所述漏區包括雜質，并且

其中所述變形層由與所述源區或所述漏區相同的材料形成。

3.根據權利要求1所述的顯示設備，進一步包括：

像素電極，電連接至所述薄膜晶體管；

發光層，形成在所述像素電極上方；

公共電極，形成在所述發光層上方；

觸摸面板，形成在所述公共電極上方；以及

保護膜，布置在所述基板的下部并且由彈性材料形成，

其中所述傳感器形成在每個像素中或者針對包括所述多個像素中的至少兩個像素的每組形成，

其中所述基板由塑料形成。

4.根據權利要求1所述的顯示設備，其中所述傳感器包括彼此相鄰的第一傳感器和第二傳感器，并且

其中所述顯示設備進一步包括保護膜，所述保護膜包括：i)第一部分，形成在所述基板的下部的與所述第一傳感器相對應的區域中，并且關于被施加至所述基板的壓力具有第一變形率，和ii)第二部分，形成在所述基板的下部的與所述第二傳感器相對應的區域中，并且關于被施加至所述基板的壓力具有大于所述第一變形率的第二變形率。

5.根據權利要求1所述的顯示設備，其中所述傳感器包括彼此相鄰的第一傳感器和第二傳感器，并且

其中所述顯示設備進一步包括保護膜，所述保護膜包括：i)第一部分，形成在所述基板的下部的與所述第一傳感器相對應的區域中，并且具有第一厚度，和ii)第二部分，形成在所述基板的下部的與所述第二傳感器相對應的區域中，并且具有小于所述第一厚度的第二厚度，

其中在所述基板與所述第二部分之間形成有間隙空間。

6.一種顯示設備，包括：

多個像素，形成在基板上方；

薄膜晶體管，形成在所述多個像素中的每一個中，并且包括：i)有源層，具有溝道區、設置在所述溝道區兩側的源區和漏區，ii)柵電極，形成在所述有源層的所述溝道區的上部上方，iii)源電極，電連接至所述源區，以及iv)漏電極，電連接至所述漏區；和

至少一個傳感器，形成在所述多個像素中的至少一個中，被配置為檢測所述基板的彎曲或施加至所述基板的壓力中的至少一個，并且包括：i)變形層，形成在與所述有源層相同的層上，其中所述變形層包括彼此相對的第一側和第二側，ii)驅動電極，形成在與所述柵電極相同的層上，并且電連接至所述變形層的所述第一側，以及iii)檢測電極，形成在與所述源電極或所述漏電極相同的層上，并且電連接至所述變形層的所述第二側。