[發明專利]低溫濺射銅鋅錫硒太陽能電池在審
| 申請號： | 201410013785.6 | 申請日： | 2014-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN104779318A | 公開（公告）日： | 2015-07-15 |
| 發明（設計）人： | 馬給民;保羅比蒂 | 申請（專利權）人： | 東莞日陣薄膜光伏技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 523808 廣東省東莞市松山湖科技*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低溫 濺射 銅鋅錫硒 太陽能電池 | ||
1.一種低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池（見說明書附圖1），其特征在于：在鈉鈣玻璃基板?(1)?上鍍有約0.35至1.0微米厚鉬薄膜，在所述鉬薄膜鍍有約0.7至1.5微米厚，或1.0微米標準厚度的“銅鋅錫硒”薄膜，在“銅鋅錫硒”薄膜及退火后的晶體?(3)?與其上表面有“p-n結”薄膜區域（11）。
2.根據權利要求1所述的一種低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述“銅鋅錫硒”薄膜及晶體（3）上，鍍有0.05微米厚的“硫化鎘”或“硫化鋅（4）”。
3.根據權利要求2所述的低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述“硫化鎘”或“硫化鋅（4）”上，鍍約0.1微米厚的絕緣層氧化鋅（5）。
4.根據權利要求3所述的低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述“氧化鋅（5）”上，鍍約0.35至1.9微米厚的導電透明“氧化鋅參鋁（6）”。
5.根據權利要求4所述的一種低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述“氧化鋅參鋁（6）”上，可選擇性的鍍上約0.05微米厚的鎳（7），該鎳（7）上鍍有約3.0微米厚鋁膜（8）。
6.根據權利要求5所述的一種低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述鋁膜（8）上，可選擇性的鍍上約0.05微米厚的一層保護鎳（9）。
7.根據權利要求6所述的一種低溫濺射工藝制造的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述保護鎳（9）上，放置約1.0至4.0毫米厚的鈉鈣覆蓋玻璃（10）。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
