[發明專利]一種開關及其制造方法

有效

• 申請號: 201410013005.8
• 申請日: 2014-01-10
• 公開（公告）號: CN104779248B
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 趙騫;張黎陽;龍華;程珍娟;唐東杰;鄭瑞
• 申請（專利權）人: 國民技術股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/82;H01L21/02
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種開關，其特征在于，所述開關包括：

基底；

半導體層，形成在所述基底中，所述半導體層包括第一有源區域、第二有源區域和溝道區域，其中，所述溝道區域位于所述第一有源區域和所述第二有源區域之間；

柵極，設置在所述溝道區域之上；

第一金屬層，設置在所述第一有源區域上并與所述第一有源區域電連接；

第二金屬層，設置在所述第二有源區域上并與所述第二有源區域電連接；

其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層分別與所述柵極至少部分重疊以形成寄生前饋電容。

2.根據權利要求1所述的開關，其特征在于，所述開關進一步包括：

第一歐姆接觸層，設置在所述第一有源區域上，且所述第一金屬層通過所述第一歐姆接觸層與所述第一有源區域電相連；

第二歐姆接觸層，設置在所述第二有源區域上，且所述第二金屬層通過所述第二歐姆接觸層與所述第二有源區域電相連。

3.根據權利要求2所述的開關，其特征在于，所述開關進一步包括：

至少一絕緣層，其設置在所述第一金屬層和所述第二金屬層下方，并且位于所述第一歐姆接觸層、所述第二歐姆接觸層和所述柵極之上。

4.根據權利要求3所述的開關，其特征在于，所述絕緣層內形成有通孔，所述通孔包括第一通孔和第二通孔，所述第一金屬層通過所述第一通孔與所述第一歐姆接觸層電連接，所述第二金屬層通過所述第二通孔與所述第二歐姆接觸層電相連。

5.根據權利要求4所述的開關，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層分別向所述柵極的方向延伸，以覆蓋至少部分所述柵極。

6.根據權利要求1所述的開關，其特征在于，所述開關為多柵開關，其包括多個所述柵極，其分別設置在所述溝道區域之上。

7.根據權利要求1所述的開關，其特征在于，所述開關進一步包括：

隔離區域，其設置在所述半導體層之外，以隔離所述開關。

8.一種開關的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供一基底，在所述基底上形成半導體層，所述半導體層包括第一有源區域、第二有源區域和溝道區域，其中，溝道區域位于第一有源區域和第二有源區域之間；

在所述溝道區域上設置柵極；

在所述第一有源區域上設置第一金屬層，并且所述第一金屬層與所述第一有源區域電連接；

在所述第二有源區域上設置第二金屬層，并且所述第二金屬層與所述第二有源區域電連接；

所述第一金屬層和所述第二金屬層分別與所述柵極至少部分重疊以形成寄生前饋電容。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層分別與所述柵極至少部分重疊以形成寄生前饋電容的步驟包括：

所述第一金屬層和所述第二金屬層分別向所述柵極的方向延伸，以覆蓋至少部分所述柵極。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述溝道區域上設置柵極的步驟包括：

在所述溝道區域上分別設置多個所述柵極。