[發明專利]光學感測芯片

有效

• 申請號: 201410012972.2
• 申請日: 2014-01-13
• 公開（公告）號: CN103926231B
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 張家榮;林靖淵
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種光學感測芯片，包括：

基底，具有一絕緣層；

至少一絕緣氧化物層，覆蓋于該基底上以提供一固定拉曼信號；

電極圖案，位于該基底上以及該至少一絕緣氧化物層下方，其中該電極圖案直接位于該絕緣層上，且該至少一絕緣氧化物層共形覆蓋該電極圖案的上表面和側表面；

隔離層，覆蓋于該基底與該至少一絕緣氧化物層上，其中該隔離層具有至少一開口；以及

立體納米結構陣列，位于該至少一絕緣氧化物層上以及位于該基底上方，其中該電極圖案的位置對應該立體納米結構陣列的位置，而該開口暴露出該立體納米結構陣列，其中該立體納米結構陣列包括排列成行列的多個立體納米結構，而任一立體納米結構至少包括一立體聚合物結構與共形覆蓋于該立體聚合物結構上的一金屬層，

其中該多個立體納米結構作為表面電漿共振結構，而該電極圖案作為靜電操控電極。

2.如權利要求1所述光學感測芯片，其中該基底可提供一特定的參考拉曼信號以做為參考信號。

3.如權利要求2所述光學感測芯片，其中該絕緣氧化物層的材質包括金屬氧化物或氧化硅，而該基底為一硅基底。

4.如權利要求3所述光學感測芯片，其中該金屬氧化物包括氧化鋁。

5.如權利要求1所述光學感測芯片，其中該絕緣氧化物層厚度為20納米。

6.如權利要求1所述光學感測芯片，其中該立體聚合物結構為具300納米直徑的聚苯乙烯球。

7.如權利要求1所述光學感測芯片，其中該金屬層為厚度20～60納米的金、銀或銅膜。

8.如權利要求1所述光學感測芯片，其中該隔離層材質包括透明的高分子聚合物。

9.如權利要求8所述光學感測芯片，其中該透明的高分子聚合物包括聚二甲基硅氧烷。

10.如權利要求7所述光學感測芯片，其中該電極圖案由一底金屬層所形成，且該電極圖案的位置對應于該立體納米結構陣列的位置。

11.一種光學感測芯片，包括：

硅基板，提供一特定的拉曼信號可做為參考信號，該硅基板包括一絕緣層、至少一絕緣氧化物層以及位于該至少一絕緣氧化物層下方的一底金屬層，其中該底金屬層直接位于該絕緣層上，且該至少一絕緣氧化物層共形地覆蓋該底金屬層的上表面和側表面；

隔離層，覆蓋于該硅基板上，其中該隔離層具有至少一開口；以及

立體納米結構陣列，位于該硅基板上而該開口暴露出該立體納米結構陣列，其中該立體納米結構陣列包括排列成行列的多個立體納米結構，而任一立體納米結構至少包括一立體聚合物結構與共形覆蓋于該立體聚合物結構上的一金屬層。

12.如權利要求11所述光學感測芯片，其中該立體聚合物結構為具300納米直徑的聚苯乙烯球。

13.如權利要求11所述光學感測芯片，其中該金屬層為厚度20～60納米的金、銀或銅膜。

14.如權利要求11所述光學感測芯片，其中該隔離層材質包括透明的高分子聚合物。

15.如權利要求14所述光學感測芯片，其中該透明的高分子聚合物包括聚二甲基硅氧烷。

16.如權利要求13所述光學感測芯片，其中該底金屬層的位置對應于該立體納米結構陣列的位置。