[發明專利]諧振式換能器及其制造方法有效
| 申請號： | 201410012729.0 | 申請日： | 2014-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN103929144B | 公開（公告）日： | 2017-09-19 |
| 發明（設計）人： | 吉田隆司;巖井滋人;佐佐木義孝 | 申請（專利權）人： | 橫河電機株式會社 |
| 主分類號： | H03H9/125 | 分類號： | H03H9/125;H03H3/007 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人： | 陳源,李銘 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 諧振 式換能器 及其 制造 方法 | ||
1.一種諧振式換能器，其包括：
諧振器；
諧振器電極，其連接至所述諧振器的端部；
固定電極；其布置在所述諧振器的附近；
絕緣體和掩埋部分形成在所述固定電極和所述諧振器電極之間，所述絕緣體和所述掩埋部分與真空室接觸，所述掩埋部分中摻雜有雜質并且與基準電位連接，其中所述掩埋部分由多晶硅制成或者由能夠耐氫氟酸或氟化氫的蒸汽的材料制成；
其中所述諧振器、所述諧振器電極和所述固定電極被利用同一有源層形成在襯底上。
2.一種諧振式換能器，其包括:
諧振器；
諧振器電極，其連接至所述諧振器的端部；
固定電極；其布置在所述諧振器的附近；
外圍電極，其布置在所述諧振器電極和固定電極的外圍；和
絕緣體和掩埋部分形成在任意電極之間，所述絕緣體和所述掩埋部分與真空室接觸，其中所述掩埋部分由多晶硅制成或者由能夠耐氫氟酸或氟化氫的蒸汽的材料制成；
其中所述諧振器、所述諧振器電極、所述固定電極和所述外圍電極被利用同一有源層形成在襯底上。
3.根據權利要求1或2所述的諧振式換能器，其中所述材料是SiC、SiGe或DLC中的任意一種。
4.一種制造諧振式換能器的方法，所述諧振式換能器包括：諧振器；諧振器電極，其連接至所述諧振器的端部；和固定電極，其布置在所述諧振器的附近，其中所述諧振器、所述諧振器電極和所述固定電極被利用同一有源層形成在襯底上，所述制造方法包括：
在所述固定電極和所述諧振器電極之間的部分中掩埋多晶硅，所述多晶硅的掩埋部分摻雜有雜質并且與基準電位連接；和
蝕刻犧牲層以釋放所述諧振器。
5.一種制造諧振式換能器的方法，所述諧振式換能器包括：諧振器；諧振器電極，其連接至所述諧振器的端部；固定電極，其布置在所述諧振器的附近；和外圍電極，其布置在所述諧振器電極和所述固定電極的外圍，其中所述諧振器、所述諧振器電極、所述固定電極和所述外圍電極被利用同一有源層形成在襯底上，所述制造方法包括：
在任意電極之間的部分中掩埋多晶硅，所述多晶硅的掩埋部分摻雜有雜質并且與基準電位連接；和
蝕刻犧牲層以釋放所述諧振器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于橫河電機株式會社，未經橫河電機株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410012729.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
