[發(fā)明專利]一種用于磁控濺射工藝的電弧檢測(cè)及抑制方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410012623.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-01-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103774105A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫強(qiáng);寧波;陳桂濤;黃西平;孫向東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務(wù)所 61214 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 710048*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 磁控濺射 工藝 電弧 檢測(cè) 抑制 方法 | ||
1.一種用于磁控濺射工藝的電弧檢測(cè)及抑制方法,其特征在于,按照以下步驟具體實(shí)施:
步驟1:由電壓霍爾傳感器和電流霍爾傳感器實(shí)施對(duì)磁控濺射電源負(fù)載電壓和負(fù)載電流的采樣,采用電壓電流共同變化閾值檢測(cè)方法作為電弧檢測(cè)判定依據(jù),如果判定沒(méi)有電弧,則維持當(dāng)前狀態(tài);當(dāng)檢測(cè)到電弧時(shí),進(jìn)入步驟2中進(jìn)行滅弧處理;
步驟2:由磁控濺射電源控制器對(duì)步驟1中所檢測(cè)到的電弧進(jìn)行抑制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于磁控濺射工藝的電弧檢測(cè)及抑制方法,其特征在于,所述步驟1中,電壓電流共同變化閾值檢測(cè)方法具體步驟是:
通過(guò)電流霍爾和電壓霍爾傳感器對(duì)磁控濺射電源輸出電流和輸出電壓分別進(jìn)行采樣并在控制器中進(jìn)行判斷,當(dāng)采樣電壓跌落至電壓閾值,同時(shí)采樣電流超過(guò)所設(shè)定電流閾值時(shí),即認(rèn)為此刻產(chǎn)生電弧。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于磁控濺射工藝的電弧檢測(cè)及抑制方法,其特征在于,所述的閾值設(shè)定為:電流閾值在控制器中設(shè)定為電源指令輸出電流的1.05倍,電壓閾值在控制器中設(shè)定為200V。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于磁控濺射工藝的電弧檢測(cè)及抑制方法,其特征在于,所述步驟2的具體步驟是:
步驟2.1、當(dāng)通過(guò)步驟1檢測(cè)到有電弧產(chǎn)生時(shí),則立即通過(guò)降低輸出電壓幅值來(lái)進(jìn)行抑制,具體步驟是:
通過(guò)磁控濺射電源控制器減小前級(jí)電路占空比的輸出來(lái)改變后級(jí)電路的輸入電壓,從而降低輸出電壓幅值,同時(shí)通過(guò)計(jì)數(shù)器對(duì)弧出現(xiàn)個(gè)數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì),延時(shí)一段時(shí)間后恢復(fù)前級(jí)電路占空比的輸出,再返回步驟1中重新進(jìn)行檢測(cè);
步驟2.2、當(dāng)步驟2.1中對(duì)電弧統(tǒng)計(jì)的個(gè)數(shù)超過(guò)限定值時(shí),磁控濺射電源將強(qiáng)行對(duì)靶進(jìn)行清洗,具體步驟是:
步驟2.2.1、磁控濺射電源控制器命令在一定的時(shí)間內(nèi)輸出恒定反向電壓,并對(duì)計(jì)數(shù)器清零;
步驟2.2.2、磁控濺射電源控制器恢復(fù)到電弧出現(xiàn)前的設(shè)置,重新工作;
步驟2.2.3、如果通過(guò)步驟1中所述方法仍檢測(cè)到電弧的存在,則進(jìn)行停機(jī)保護(hù);當(dāng)檢測(cè)到電弧消失后,則返回步驟1中繼續(xù)進(jìn)行檢測(cè)。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
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C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





