[發明專利]一種去除光致抗蝕劑的方法和設備

在審

• 申請號: 201410012432.4
• 申請日: 2014-01-10
• 公開（公告）號: CN104779136A
• 公開（公告）日: 2015-07-15
• 發明（設計）人: 黃子晏;譚莉;林信安;林志明;廖子毅
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 于寶慶;劉春生

1.一種去除光致抗蝕劑的方法，包括：

涂布光致抗蝕劑對低溫多晶硅進行溝道摻雜；

利用大氣等離子體處理裝置，通入氣體形成等離子體，對所述光致抗蝕劑進行灰化處理；

去除有機殘余物；以及

利用剝離裝置，對光致抗蝕劑進行剝離處理。

2.根據權利要求1的方法，其中所述大氣等離子體處理裝置包括上電極和下電極，所述上電極的頻率為13.56MHz，所述下電極的頻率為3.2MHz。

3.根據權利要求2的方法，其中所述上電極的RF功率設定在1000KW以上，所述下電極的RF功率設定在500KW以上。

4.根據權利要求3的方法，其中所述大氣等離子體處理裝置的工作氣壓設定為10^-3～10^-2托。

5.根據權利要求4的方法，其中進行灰化處理的時間為25～300秒。

6.根據權利要求5的方法，其中進行灰化處理的時間為120～200秒。

7.根據權利要求1至6中任一項的方法，其中所述氣體為氫氣和氧氣的混合氣體。

8.根據權利要求7的方法，所述氫氣和氧氣的混合氣體中氫氣的流量為500sccm，氧氣的流量為1000sccm。

9.一種去除光致抗蝕劑的設備，包括用于形成等離子體并對光致抗蝕劑進行灰化處理的大氣等離子體處理裝置以及用于對灰化后的光致抗蝕劑進行剝離處理的剝離裝置。

10.根據權利要求9的設備，其中所述剝離裝置包括剝離槽、異丙醇槽、水洗槽和干燥槽。