[發明專利]半導體封裝件及其制法

有效

• 申請號: 201410012336.X
• 申請日: 2014-01-10
• 公開（公告）號: CN104733415B
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 李百淵;林畯棠
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體封裝件，包括：

第一電子組件；

多個導電組件，其形成于該第一電子組件的表面上；

第二電子組件，其具有多個導電凸塊，以供該第二電子組件通過該多個導電凸塊設置于該第一電子組件上，且該導電凸塊對應電性連接至該導電組件；以及

底膠，其形成于該第二電子組件與第一電子組件間，并包覆該導電凸塊及導電組件，其中，該底膠包括：

多個粒徑介于0.1至1μm的導電顆粒；

多個粒徑介于1至10μm的絕緣顆粒；及

聚合物；

其中，部分該導電凸塊與其對應的該導電組件間具有空隙，該導電顆粒還填充于該空隙中，且填充于該空隙的該導電顆粒的含量大于該絕緣顆粒的含量。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，以該底膠的總重量計，該導電顆粒的含量介于5至20重量％。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，以該底膠的總重量計，該絕緣顆粒的含量介于45至60重量％。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，以該底膠的總重量計，該聚合物的含量介于35至50重量％。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該導電凸塊的材質為銅。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該導電組件的材質為錫/鉛合金。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該第一電子組件為基板、半導體芯片、晶圓、經封裝或未經封裝的半導體組件。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該第二電子組件為基板、半導體芯片、晶圓、經封裝或未經封裝的半導體組件。

9.一種半導體封裝件的制法，包括：

將第二電子組件通過多個導電凸塊設置于第一電子組件上的導電組件，部分該導電凸塊與其對應的該導電組件間具有空隙；

填充底膠于該第二電子組件與該第一電子組件之間，以包覆該導電凸塊及導電組件，其中，該底膠包括：

多個粒徑介于0.1至1μm的導電顆粒；

多個粒徑介于1至10μm的絕緣顆粒；及

聚合物；以及

實施加熱烘烤，以增加該導電凸塊與導電組件間的空隙中的導電顆粒的含量，且填充于該空隙的該導電顆粒的含量大于該絕緣顆粒的含量。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，以該底膠的總重量計，該導電顆粒的含量介于5至20重量％。

11.根據權利要求9所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，以該底膠的總重量計，該絕緣顆粒的含量介于45至60重量％。

12.根據權利要求9所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，以該底膠的總重量計，該聚合物的含量介于35至50重量％。

13.根據權利要求9所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括于填充該底膠于該第一電子組件與第二電子組件間后，以100至200℃烘烤該半導體封裝件。

14.根據權利要求9所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該導電凸塊的材質為銅。

15.根據權利要求9所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該導電組件的材質為錫/鉛合金。

16.根據權利要求9所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該第一電子組件為基板、半導體芯片、晶圓、經封裝或未經封裝的半導體組件。

17.根據權利要求9所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該第二電子組件為基板、半導體芯片、晶圓、經封裝或未經封裝的半導體組件。