[發(fā)明專利]多晶硅料復(fù)投方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410012263.4
• 申請日: 2014-01-10
• 公開（公告）號: CN103757691A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 喬松;尹東坡;司佳勇;郭凱
• 申請（專利權(quán)）人: 英利集團(tuán)有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種多晶硅料復(fù)投方法，其特征在于，包括：

步驟S1：在拉制單晶硅棒的坩堝（22）內(nèi)的熔硅表面結(jié)晶形成托盤（19）；

步驟S2：向所述坩堝（22）內(nèi)投放多晶硅料（11），并使所述多晶硅料（11）位于所述托盤（19）上；

步驟S3：在投放的所述多晶硅料（11）達(dá)到預(yù)定量之后，保持預(yù)定時間，然后將所述托盤（19）和所述托盤（19）上的多晶硅料（11）完全熔化在所述坩堝（22）內(nèi)以拉制單晶硅棒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅料復(fù)投方法，其特征在于，在所述步驟S1中，將拉制單晶硅棒的籽晶（20）的一端放入所述坩堝（22）內(nèi)的熔硅（21）中，并調(diào)整所述坩堝（22）的加熱功率，以在所述坩堝（22）內(nèi)結(jié)晶形成所述托盤（19）。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅料復(fù)投方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述籽晶（20）浸入所述熔硅（21）的深度不小于5mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅料復(fù)投方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述坩堝（22）的加熱功率在45kw至60kw的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅料復(fù)投方法，其特征在于，在所述步驟S1中，結(jié)晶形成的所述托盤（19）的直徑為所述坩堝（22）直徑的2/3至9/10。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的多晶硅料復(fù)投方法，其特征在于，在所述步驟S2中，投放所述多晶硅料（11）的石英管（23）的出料口距所述托盤（19）的距離在80mm至100mm的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的多晶硅料復(fù)投方法，其特征在于，在所述步驟S2中，投放所述多晶硅料（11）的速度在10kg/h至40kg/h的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的多晶硅料復(fù)投方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述坩堝（22）的旋轉(zhuǎn)速率在2轉(zhuǎn)/min至6轉(zhuǎn)/min的范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項所述的多晶硅料復(fù)投方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述籽晶（20）的旋轉(zhuǎn)速度在1轉(zhuǎn)/min至4轉(zhuǎn)/min的范圍內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的多晶硅料復(fù)投方法，其特征在于，在所述步驟S2中，拉制單晶硅棒的裝置內(nèi)的氬氣流量在30L/min至100L/min。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的多晶硅料復(fù)投方法，其特征在于，在所述步驟S2中，拉制單晶硅棒的裝置內(nèi)的壓力在15Torr至30Torr的范圍內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的多晶硅料復(fù)投方法，其特征在于，在所述步驟S2中，逐漸升高所述坩堝（22）的加熱功率至65kw至80kw的范圍內(nèi)。

13.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項所述的多晶硅料復(fù)投方法，其特征在于，在所述步驟S2中，當(dāng)投放所述多晶硅料（11）20min至30min后，以60mm/h至120mm/h的速率同時下降所述籽晶（20）和所述坩堝（22）。