[發(fā)明專利]一種測量光刻機(jī)垂向測量系統(tǒng)反射鏡面形的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410011377.7 | 申請日: | 2014-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN104777715B | 公開(公告)日: | 2017-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫朋 | 申請(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G01B11/24 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 測量 光刻 系統(tǒng) 反射 鏡面形 方法 | ||
1.一種測量光刻機(jī)垂向測量系統(tǒng)反射鏡面形的方法,其特征在于包括如下步驟:
1)上載基底至工件臺,上載具有可確定最佳焦面標(biāo)記的掩模至掩模臺;
2)保持工件臺Y向位置不變,利用干涉儀控制工件臺在Z向上步進(jìn)n次,工件臺每步進(jìn)一次,在X向同樣步進(jìn)一個步距,,將掩模上所述標(biāo)記曝光至基底上;
3)n個高度曝光完畢后,工件臺Y?向步進(jìn)一個步距,重復(fù)步驟2),直到曝光完整個基底,共曝光m組標(biāo)記;
4)將基底顯影、烘干,再次上載到工件臺上,讀取n×m個標(biāo)記的對準(zhǔn)位置;
5)根據(jù)所述對準(zhǔn)位置計算標(biāo)記的對準(zhǔn)偏移量,根據(jù)對準(zhǔn)偏移量與離焦量的關(guān)系計算得出每個Y向位置處yi的最佳焦點(diǎn)位置BF,則最佳焦點(diǎn)位置的變化量???????????????????????????????????????????????,其中,P為工件臺位置;
6)根據(jù)m個位置yi和對應(yīng)的鏡面實(shí)際位置距離名義位置距離Δhi,擬合所述反射鏡面形,其中,。
2.?如權(quán)利要求1所述的測量光刻機(jī)垂向測量系統(tǒng)反射鏡面形的方法,其特征在于:利用最小二乘法擬合反射鏡面形曲線。
3.?如權(quán)利要求1所述的測量光刻機(jī)垂向測量系統(tǒng)反射鏡面形的方法,其特征在于:利用對準(zhǔn)系統(tǒng)讀取所述n×m個標(biāo)記的對準(zhǔn)位置。
4.?如權(quán)利要求2所述的測量光刻機(jī)垂向測量系統(tǒng)反射鏡面形的方法,其特征在于:利用四次曲線表征反射鏡面形,則,其中a、b、c、d、e為四次曲線的系數(shù),m組Y向位置數(shù)據(jù)可表示成如下矩陣形式:
即:
可求得:,其中B表征反射鏡面形。
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