[發明專利]一種GaN納米線的生長方法有效
| 申請號： | 201410011149.X | 申請日： | 2014-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN103757693A | 公開（公告）日： | 2014-04-30 |
| 發明（設計）人： | 李述體;刁家聲;王幸福 | 申請（專利權）人： | 華南師范大學 |
| 主分類號： | C30B25/02 | 分類號： | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/38;C30B29/62;C01B21/06 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 鄭瑩 |
| 地址： | 510275 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan 納米 生長 方法 | ||
1.一種GaN納米線的生長方法，其特征在于：以石英或者表面鍍有二氧化硅薄膜的材質為襯底，以三甲基銦為來源形成的液相銦滴作為催化劑，在襯底表面催化生長出GaN納米線。
2.根據權利要求1所述的一種GaN納米線的生長方法，其特征在于：所述的表面鍍有二氧化硅薄膜的材質選自在表面鍍有二氧化硅薄膜的Si、Al2O3、SiC、GaAs中的一種。
3.根據權利要求1所述的一種GaN納米線的生長方法，其特征在于：包括下列步驟：
1）將權利要求1所述的襯底放入MOCVD反應室，在氫氣氛圍下1000～1100℃熱處理襯底10～20min；?
2）然后在600～700℃，通入三甲基銦30～300s，在襯底上形成密度為8×106～5×108個/cm2的液相銦滴，作為催化劑；?
3）然后同時通入三甲基鎵和氨氣，使生成GaN并溶于銦滴，形成合金液滴；
4）最后同時通入三甲基鎵、氨氣和硅烷，在合金液滴上可控地生長出GaN納米線。
4.根據權利要求2所述的一種GaN納米線的生長方法，其特征在于：步驟2）中所述的通入三甲基銦時偏壓為350～450mbar。
5.根據權利要求2所述的一種GaN納米線的生長方法，其特征在于：步驟3）中所述合金液滴的直徑長為100～600nm。
6.根據權利要求2所述的一種GaN納米線的生長方法，其特征在于：步驟3）和步驟4）中所述通入三甲基鎵的摩爾流量為60～80μmol/min，氨氣的摩爾流量是三甲基鎵的10～100倍。
7.根據權利要求2所述的一種GaN納米線的生長方法，其特征在于：步驟4）中所述的通硅烷流量為30～40nmol/min。
8.根據權利要求2所述的一種GaN納米線的生長方法，其特征在于：步驟4）中所述GaN納米線的直徑為300～1000nm，高度為1～10μm。
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