[發明專利]一種多孔硅模板的制備方法

無效

• 申請號: 201410011017.7
• 申請日: 2014-01-09
• 公開（公告）號: CN103746038A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 黃其煜;鄭一胄
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 牛山;陳少凌

1.一種多孔硅模板的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

步驟一，取HF、H₂O₂、去離子水，充分混合，得刻蝕液；

步驟二，無光照條件下，將硅襯底放入所述刻蝕液中，之后放在熱板上保持恒溫，浸泡；

步驟三，將硅襯底取出，用去離子水反復沖洗，吹干，即可得到多孔硅模板。

2.如權利要求1所述的多孔硅模板的制備方法，其特征在于，步驟一中，所述HF、H₂O₂、去離子水的體積比為1:4:8～4:1:8。

3.如權利要求1所述的多孔硅模板的制備方法，其特征在于，步驟二中，所述硅襯底的晶向為100。

4.如權利要求1所述的多孔硅模板的制備方法，其特征在于，步驟二中，所述硅襯底為表面沉積金屬銀的硅襯底。

5.如權利要求1所述的多孔硅模板的制備方法，其特征在于，步驟二中，所述硅襯底的制備方法具體步驟如下：

步驟A：清洗硅片：將硅片切成小塊，依次經丙酮超聲清洗、無水乙醇清洗、去離子水超聲清洗，然后用去離子水沖洗，吹干；

步驟B：配制沉積金屬Ag溶液：稱取AgNO₃放入燒杯中，取HF放入AgNO₃中，用去離子水定容到60ml，攪勻，得混合溶液；

步驟C：硅襯底上沉積金屬：在室溫無光照條件下，將清洗好后的硅片放入所述混合溶液中，浸泡；取出后用去離子水沖洗干凈，并用普氮將硅片吹干，即可得表面沉積金屬銀的硅襯底。

6.如權利要求5所述的多孔硅模板的制備方法，其特征在于，步驟A中，所述硅片的電阻率為0.001～1Ω·cm。

7.如權利要求5所述的多孔硅模板的制備方法，其特征在于，步驟A中，所述小塊的尺寸規格為1.5×1.5cm²。

8.如權利要求5所述的多孔硅模板的制備方法，其特征在于，步驟A中，所述丙酮超聲清洗時間為5～10分鐘、無水乙醇清洗時間為5～10分鐘、去離子水超聲清洗時間為5～10分鐘。

9.如權利要求5所述的多孔硅模板的制備方法，其特征在于，步驟B中，所述AgNO₃為0.0102g，所述HF為0.1ml。

10.如權利要求5所述的多孔硅模板的制備方法，其特征在于，步驟C中，所述浸泡時間為1分鐘。

11.如權利要求1所述的多孔硅模板的制備方法，其特征在于，步驟二中，所述恒溫的溫度為35～45℃，所述浸泡時間為60～150分鐘,所述吹干具體為用氮氣吹干。