[發明專利]制造鰭式場效應晶體管器件的方法

有效

• 申請號: 201410010730.X
• 申請日: 2014-01-09
• 公開（公告）號: CN104576534B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 謝銘峰;曾文弘;林宗樺;謝弘璋
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種用于制造鰭式場效應晶體管(FinFET)器件的方法，所述方法包括：

接收具有硬掩模的襯底；

在所述襯底上方形成多個芯軸部件；

實施第一切割去除一個或多個芯軸部件以形成第一間隔；

實施第二切割去除一個或多個芯軸部件的一部分以形成線端和端部與端部間間隔；

在所述第一切割和所述第二切割之后，使用具有所述第一間隔和所述端部與端部間間隔的所述芯軸部件作為蝕刻掩模，蝕刻所述襯底以形成鰭；

沉積間隔件層以完全填充相鄰鰭之間的間隔，并覆蓋與所述第一間隔和所述端部與端部間間隔相鄰的所述鰭的側壁；

蝕刻所述間隔件層以在與所述第一間隔和所述端部與端部間間隔相鄰的所述鰭上形成側壁間隔件并且通過所述蝕刻暴露所述硬掩模；以及

在所述第一間隔和所述端部與端部間間隔中形成隔離溝槽，其中，所述側壁間隔件覆蓋所述鰭并且所述間隔件層填充在所述相鄰鰭之間的間隔中。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在沉積所述間隔件層期間，部分地填充所述第一間隔和所述端部與端部間間隔，且完全填充兩個相鄰鰭之間的間隔。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，控制蝕刻所述間隔件層的蝕刻工藝以去除所述第一間隔和所述端部與端部間間隔中的所述間隔件層，并且保持兩個相鄰鰭之間的間隔基本上填充有所述間隔件層。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，通過使用所述第一間隔和所述端部與端部間間隔中的所述側壁間隔件自對準蝕刻所述襯底來形成所述隔離溝槽。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述隔離溝槽形成有比所述第一間隔和所述端部與端部間間隔的寬度更小的寬度。

6.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

使用隔離介電層填充所述隔離溝槽；以及

使所述隔離介電層凹進以在所述隔離溝槽中形成隔離部件。

7.根據權利要求6所述的方法，進一步包括：

在使用所述隔離介電層填充所述隔離溝槽之后，去除所述相鄰鰭之間的所述間隔件層，以暴露所述鰭的側壁。

8.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在形成所述芯軸部件之前，在所述襯底上方沉積硬掩模；以及

在蝕刻所述襯底形成所述鰭期間，蝕刻所述硬掩模，使得所述硬掩模的一部分成為所述鰭的頂層。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，在形成所述隔離溝槽期間，所述硬掩模保護所述鰭。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，在形成所述隔離溝槽之后，去除所述硬掩模以暴露所述鰭的頂面。

11.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在蝕刻所述襯底以形成所述鰭之后，去除所述芯軸部件。

12.一種用于制造鰭式場效應晶體管(FinFET)器件的方法，包括：

接收具有硬掩模的襯底；

在所述硬掩模上方形成多個芯軸部件；

去除一個或多個芯軸部件以形成第一間隔；

去除至少一個芯軸部件的一部分以形成線端和端部與端部間間隔；

使用具有所述第一間隔和所述端部與端部間間隔的所述芯軸部件作為蝕刻掩模，用于蝕刻所述硬掩模和襯底以形成鰭；

在蝕刻之后，去除所述芯軸部件；

在所述襯底上方沉積間隔件層，包括完全填充兩個相鄰鰭之間的間隔，覆蓋所述第一間隔和所述端部與端部間間隔中的所述鰭的側壁，以及部分地填充所述第一間隔和所述端部與端部間間隔；

實施間隔件蝕刻，以在第一所述間隔和所述端部與端部間間隔中的所述鰭上形成側壁間隔件并且以去除所述第一間隔和所述端部與端部間間隔的底部處的所述間隔件層來暴露所述襯底，并且通過所述蝕刻暴露所述硬掩模；

蝕刻暴露的襯底以形成隔離溝槽；

使用隔離介電層填充所述隔離溝槽；

去除相鄰鰭之間的間隔中的所述間隔件層；以及

使所述隔離介電層凹進以在所述隔離溝槽中形成隔離部件。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，控制所述間隔件蝕刻，以去除所述第一間隔和所述端部與端部間間隔中的所述間隔件層，并且使兩個相鄰鰭之間的間隔基本填充有所述間隔件層。