[發明專利]溝槽式功率金屬氧化物半導體場效晶體管與其制造方法

有效

• 申請號: 201410010625.6
• 申請日: 2014-01-10
• 公開（公告）號: CN104779282B
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 許修文
• 申請（專利權）人: 帥群微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 李昕巍,章侃銥

1.一種溝槽式功率金屬氧化物半導體場效晶體管，其特征在于，包括：

一基材，具有一第一重摻雜區；

一磊晶層，形成于該基材上方，其中該磊晶層中具有一漂移區；

一氧化物層，形成于該漂移區上方；

一溝道區域，形成于該氧化物層的一側；

一基體區域，形成于該氧化物層與該溝道區域上方，其中該溝道區域連接該基體區域與該漂移區；

一第二重摻雜區，形成于該基體區域上方；以及

一溝槽柵極結構，形成于該第二重摻雜區與該基體區域的側邊；

其中，該溝道區域位于該溝槽柵極結構與該氧化物層之間。

2.如權利要求1所述的溝槽式功率金屬氧化物半導體場效晶體管，其特征在于，該溝道區域的寬度小于該氧化物層的寬度。

3.如權利要求1所述的溝槽式功率金屬氧化物半導體場效晶體管，其特征在于，該溝道區域與該漂移區為N型摻雜區，該基體區域為P型摻雜區，該第一重摻雜區與該第二重摻雜區為N型摻雜區。

4.如權利要求1所述的溝槽式功率金屬氧化物半導體場效晶體管，其特征在于，該溝槽柵極結構延伸至該漂移區之中。

5.如權利要求1所述的溝槽式功率金屬氧化物半導體場效晶體管，其特征在于，該氧化物層、該溝道區域、該基體區域、該第二重摻雜區與該溝槽柵極結構形成于該磊晶層中。

6.如權利要求1所述的溝槽式功率金屬氧化物半導體場效晶體管，其特征在于，該溝槽柵極結構形成于該磊晶層的一溝槽內，該溝槽柵極結構包括：

一絕緣層，形成于該溝槽的內側壁；以及

一導電柵極，形成于該溝槽內，且該絕緣層位于該導電柵極與該磊晶層之間。

7.一種溝槽式功率金屬氧化物半導體場效晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一磊晶層于該基板上方，并在該磊晶層中形成一漂移區與一氧化物層，其中該氧化物層位于該漂移區上方；

形成一溝槽柵極結構與一溝道區域于該磊晶層中，其中該溝道區域位于該氧化物層與該溝槽柵極結構之間；

形成一基體區域于該氧化物層與該溝道區域上方，其中該溝道區域連接該基體區域與該漂移區；以及

形成一重摻雜區于該基體區域上方。

8.如權利要求7所述的溝槽式功率金屬氧化物半導體場效晶體管的制作方法，其特征在于，該溝道區域與該漂移區為N型摻雜區，該基體區域為P型摻雜區，該重摻雜區為N型摻雜區。

9.如權利要求7所述的溝槽式功率金屬氧化物半導體場效晶體管的制作方法，其特征在于，在形成該磊晶層之步驟包括：

形成一下磊晶層于該基板上；

形成一主氧化物層在一下磊晶層的上方；

蝕刻該主氧化層以形成多個區段，其中該些區段之一形成該氧化物層；以及

使該下磊晶層向上成長增加厚度以覆蓋該氧化物層并形成該磊晶層。