[發明專利]顯示面板的像素結構及顯示面板有效
| 申請號: | 201410010273.4 | 申請日: | 2014-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN104779262B | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發明(設計)人: | 蘇聰藝;陳郁仁 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 姜怡;闞梓瑄 |
| 地址: | 201500 上海市金山區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 像素 結構 | ||
本發明公開了一種顯示面板的像素結構及顯示面板,顯示面板的像素結構包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素;一第一掃描線,用于向該第一子像素以及該第二子像素提供掃描信號;一第二掃描線,用于向該第三子像素提供掃描信號;一第一數據線,用于向該第一子像素以及該第三子像素提供像素數據;一第二數據線,用于向該第二子像素提供像素數據;其中,第一掃描線連接該第一子像素以及該第二子像素,第二掃描線連接該第三子像素,第一數據線連接該第一子像素以及該第三子像素,第二數據線連接該第二子像素。本發明顯示面板的像素結構,使得三個子像素的布局更為合理,解決了現有的像素的RGB排布結構會使的單一軸向的寬度過小的問題。
技術領域
本發明涉及OLED顯示面板的制造領域,尤其涉及OLED顯示面板的像素排布結構。
背景技術
圖1所示為現有的OLED顯示面板的像素的RGB排布結構的示意圖,其為傳統的并列(side by side)排布方式,也稱為真正條紋(real-stripe)像素排布。在圖1示出的并列排布方式中,OLED顯示面板包括多行多列的像素單元,每個像素單元內包括紅(R)、綠(G)、藍(B)三個并列的子像素。
又如圖1所示,現行的像素設計由一條橫向的掃描線搭配三條與該掃描線垂直,并分別為對應紅色子像素R、綠色子像素G以及藍色子像素B的數據線。
但以此像素排列方式放置于高分辨率的面板中,會使的每一子像素的橫向的寬度過小。此種結構不利于在高分辨率TFT的搭配設計。以5”440(PPI)的分辨率為例,三原色子像素各分配到19μm的像素寬度,容易對于TFT工藝的良率產生不良的影響。另外,在圖1所示的像素排布中,數據線的開銷較大。
因此,需要一種有利于提高分辨率、減小數據線開銷的解決方案。
在所述背景技術部分公開的上述信息僅用于加強對本公開的背景的理解,因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
本發明公開了一種顯示面板的像素的RGB排布結構,用以解決現有的像素的RGB排布結構會使的單一軸向的寬度過小,容易對于TFT工藝的良率產生不良的影響的問題。
本發明公開一種顯示面板的像素結構,包括:一像素,包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素;一第一掃描線,用于向該第一子像素以及該第二子像素提供掃描信號;一第二掃描線,用于向該第三子像素提供掃描信號;一第一數據線,用于向該第一子像素以及該第三子像素提供像素數據;一第二數據線,用于向該第二子像素提供像素數據;其中,第一掃描線連接該第一子像素以及該第二子像素,第二掃描線連接該第三子像素,第一數據線連接該第一子像素以及該第三子像素,第二數據線連接該第二子像素。
根據本發明的顯示面板像素排布結構的一實施例,其中,該第一掃描線以及第二掃描線相互平行,該第一數據線和該第二數據線相互平行,該第一掃描線以及第二掃描線與該第一數據線和該第二數據線相互垂直。
根據本發明的顯示面板像素排布結構的一實施例,其中,該第一子像素、第二子像素以及第三子像素的排列方式為,該第一子像素以及該第二子像素成橫向排列,該第一子像素與該第三子像素成一縱向排列。
根據本發明的顯示面板像素排布結構的一實施例,其中,該像素的該第一子像素、第二子像素以及第三子像素的寬度為該像素寬的一半。
根據本發明的顯示面板像素排布結構的一實施例,其中,該第一子像素、第二子像素以及第三子像素為紅、綠和藍三色子像素。
根據本發明的顯示面板像素排布結構的一實施例,其中,該第一以及第二掃描線的掃描頻率為120Hz。
本發明還提供了一種顯示面板,包括上述的顯示面板的像素結構,多個具有該像素結構的像素分別成橫向以及縱向等間隔排列。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





