[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410010236.3
• 申請日: 2014-01-09
• 公開（公告）號: CN103915502A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伊藤明
• 申請（專利權(quán)）人: 美國博通公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 田喜慶

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體上涉及金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。更特定地，本發(fā)明涉及與多柵極橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）有關(guān)的制造方法及器件結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

硅半導(dǎo)體加工已經(jīng)發(fā)展成制造集成電路的成熟操作。隨著制造工藝技術(shù)不斷進步，集成電路的核（core）和輸入/輸出（I/O）工作電壓已經(jīng)降低。然而，輔助器件的工作電壓基本保持不變。輔助器件包括對接到集成電路的器件。例如，輔助器件可為打印機、掃描儀、磁盤驅(qū)動器、磁帶驅(qū)動器、麥克風(fēng)、揚聲器或相機。

集成電路可包括有源和無源元件的互連陣列，諸如通過一系列兼容工藝與基板集成在一起或沉積于基板上的晶體管、電阻器、電容器和電感器。輔助器件可在高于包含在集成電路內(nèi)的晶體管的擊穿電壓的電壓處進行操作。隨著施加于晶體管的工作電壓增加，晶體管終將擊穿，使得電流不可控地增加。例如，擊穿不利影響實例可包括穿通、雪崩擊穿和柵極氧化物擊穿。此外，在相當(dāng)大持續(xù)時間內(nèi)高于擊穿電壓的操作降低晶體管壽命。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了以下半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件制造方法。

（1）一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一阱，注入在半導(dǎo)體基板中；

第二阱，注入在所述半導(dǎo)體基板中；

柵極結(jié)構(gòu)，在所述第一阱和所述第二阱上；

凸起源極結(jié)構(gòu)，在所述第一阱上且與所述第一阱接觸，并且通過第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)與所述柵極結(jié)構(gòu)連接；以及

凸起漏極結(jié)構(gòu)，在所述第二阱上且與所述第二阱接觸，并且與第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)連接，

其中，所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)包括將所述柵極結(jié)構(gòu)與所述凸起漏極結(jié)構(gòu)分開的間隙。

（2）根據(jù)（1）所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)和所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)具有比所述柵極結(jié)構(gòu)窄的寬度。

（3）根據(jù)（1）所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)具有比所述凸起源極結(jié)構(gòu)窄的寬度。

（4）根據(jù)（1）所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)具有比所述凸起漏極結(jié)構(gòu)窄的寬度。

（5）根據(jù)（1）所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述凸起源極結(jié)構(gòu)和所述凸起漏極結(jié)構(gòu)都具有比所述柵極結(jié)構(gòu)窄的寬度。

（6）根據(jù)（1）所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括多個柵極。

（7）根據(jù)（1）所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述間隙具有比所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)的鰭狀長度小的間隙長度。

（8）根據(jù)（1）所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述間隙具有非均勻間隙長度。

（9）一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

第一阱，具有第一阱上表面；

第二阱，具有第二阱上表面；

柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第一阱上表面和所述第二阱上表面上；

凸起源極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第一阱上且與所述第一阱接觸，在至少一個位置具有比所述第一阱上表面更高的源極上表面，并且通過第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)與所述柵極結(jié)構(gòu)連接；以及

凸起漏極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第二阱上并且通過第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)與所述柵極結(jié)構(gòu)連接，其中，所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)比所述第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)相對輕地?fù)诫s。

（10）根據(jù)（9）所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)和所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)具有比所述柵極結(jié)構(gòu)窄的寬度。

（11）根據(jù)（10）所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)具有比所述源極上表面和所述漏極上表面高的柵極上表面。

（12）根據(jù)（10）所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括多個柵極。

（13）根據(jù)（12）所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)具有比所述凸起源極結(jié)構(gòu)窄的寬度。

（14）根據(jù)（13）所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)具有比所述凸起漏極結(jié)構(gòu)窄的寬度。

（15）根據(jù)（14）所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)包括與所述第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)相比的輕摻雜部分，所述輕摻雜部分具有比所述第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)的鰭狀長度小的長度。

（16）根據(jù)（15）所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述輕摻雜部分具有非均勻長度。

（17）一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

將第一阱注入到半導(dǎo)體基板中；

將第二阱注入到所述半導(dǎo)體基板中；

制造第一半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)；

部分在所述第一阱上且部分在所述第二阱上制造柵極結(jié)構(gòu)；