[發(fā)明專利]薄膜晶體管電氣特性測量方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410010137.5
• 申請日: 2014-01-09
• 公開（公告）號: CN104778908B
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設計）人: 彭軍;李原欣;董杭;左文霞
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: G09G3/00
• 分類號: G09G3/00;G01R31/27
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 姜怡;闞梓瑄

公開了一種薄膜晶體管電氣特性測量方法，包括：用激光對顯示器面板中鄰近待測像素中的薄膜晶體管源極的數據線和鄰近待測像素中薄膜晶體管柵極的柵線進行切割；用第一測試元件組探針和第二測試元件組探針分別扎入所述數據線和所述柵線的切開截面，并用第三測試元件組探針扎入所述待測像素中薄膜晶體管的漏極；通過向所述第一測試元件組探針、所述第二測試元件組探針或所述第三測試元件組探針施加所需電壓，來測量所述薄膜晶體管的電氣特性。采用本申請?zhí)峁┑臏y量方法，能夠準確呈現面板中像素內TFT的電氣特性，而且，能夠準確定位薄膜晶體管本身的異常。

技術領域

本申請涉及薄膜晶體管（Thin Film Transistor，TFT）顯示器的測試技術，尤其涉及一種TFT電氣特性測量方法。

背景技術

目前，主要是通過設計測試元件組（Test Element Group，TEG，也稱作test key）來測試用于模擬顯示器面板內的TFT的TFT、通過測試模擬TFT的電氣特性來獲知面板中像素區(qū)域內的TFT的電氣特性。

然而，這種測量方法存在如下問題。

在測量模擬TFT的電氣特性時，從模擬TFT的柵極、源極和漏極引線出來做成三個焊墊（pad），然后將探針扎入這三個焊墊進行測量（參見圖1），得到模擬TFT的電氣特性。對于面板像素區(qū)域內的TFT，后續(xù)需要覆蓋層間介電層（Inter-Layer Dielectric,ILD）、平坦化層（PLN）、鈍化層（PV）等，無法對像素區(qū)域內的TFT引出焊墊進行測量，因而，模擬TFT的電氣特性不能準確反映像素區(qū)域內的TFT的電氣特性。

而且，由于該TFT是像素區(qū)域內TFT的模擬物，二者畢竟不是完全相同的TFT，因而，即使電氣特性測試表明該模擬TFT存在故障，也不一定說明像素區(qū)域內的TFT確實存在故障。例如，可能由于模擬TFT的工藝誤差導致模擬TFT存在故障，但是像素區(qū)域內的TFT是正常的，這時，模擬TFT的電氣特性無法準確反映像素區(qū)域內的TFT的電氣特性。

發(fā)明內容

為了解決上述問題，本申請?zhí)峁┮环NTFT電氣特性測量方法，能夠準確呈現面板中像素內TFT的電氣特性，而且，能夠準確定位TFT本身的異常。

本申請?zhí)峁┝艘环NTFT電氣特性測量方法，包括：

用激光對顯示器面板中鄰近待測像素中的薄膜晶體管源極的數據線和鄰近待測像素中的薄膜晶體管柵極的柵線進行切割；

用第一測試元件組探針和第二測試元件組探針分別扎入所述數據線和所述柵線的切開截面，并用第三測試元件組探針扎入所述待測像素中薄膜晶體管的漏極；

通過向所述第一測試元件組探針、所述第二測試元件組探針或所述第三測試元件組探針施加所需電壓，來測量所述薄膜晶體管的電氣特性。

其中，可以用激光對顯示器面板中鄰近待測像素中的薄膜晶體管源極的數據線和鄰近待測像素中的薄膜晶體管柵極的柵線進行切割，直到暴露出形成所述薄膜晶體管的柵線和數據線的金屬材料層。

其中，通過向所述第一測試元件組探針、第二測試元件組探針或所述第三測試元件組探針施加所需電壓，來測量所述薄膜晶體管的電氣特性，可以包括：

通過所述第二測試元件組探針向所述薄膜晶體管的柵極施加所需的柵極電壓；

測量所述第一測試元件組探針和所述第三測試元件組探針的電信號來確定所述薄膜晶體管的源極和漏極是否連通，從而確定所述薄膜晶體管是否導通。

其中，通過向所述第一測試元件組探針、第二測試元件組探針或所述第三測試元件組探針施加所需電壓，來測量所述薄膜晶體管的電氣特性，還可以包括：