[發明專利]一種光刻試運行中曝光能量參數的預測方法有效
| 申請號： | 201410010119.7 | 申請日： | 2014-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN103698985A | 公開（公告）日： | 2014-04-02 |
| 發明（設計）人： | 陸向宇;鮑曄 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光刻 試運行 曝光 能量 參數 預測 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種光刻試運行中曝光能量參數的預測方法，其特征在于，所述方法包括：
在進行新試運行時，所預測的曝光能量參數參照同一設備的同工藝、同層間結構之曝光能量；
在改變設備進行試運行時，所預測的曝光能量參數基于在每種設備上的曝光能量比例進行計算。
2.如權利要求1所述的光刻試運行中曝光能量參數的預測方法，其特征在于，所述在改變設備進行試運行時，所預測的曝光能量參數基于在每種設備上的曝光能量比例進行計算，其計算方法進一步包括：
執行步驟S1：羅列相關設備中滿足光刻工藝條件參數的曝光能量矩陣，所述工藝參數包括產品相關工藝、層間結構、光阻厚度、曝光照度設定、關鍵尺寸值、設備類型；
執行步驟S2：進行條件匹配，并基于上述條件下的曝光能量參數計算曝光能量參數參考值Dose_Ref（n）；
執行步驟S3：基于數據庫中樣本的曝光能量參數Dose_Ref（n）之權重Wt（n）和時間Day（n），獲取所述預測的曝光能量參數Dose_JI；
其中，所述時間Day（n）表征數據庫中滿足工藝條件的樣本到當前的時間，Pilot_time表征設定的時間常數；
權重
預測的曝光能量參數
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司，未經上海華虹宏力半導體制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410010119.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種412J真空機械泵皮帶輪定位裝置
- 下一篇：一種軟式飛盤
