[發(fā)明專利]基于小尺寸目標(biāo)基底的大面積石墨烯轉(zhuǎn)移支撐架及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410010068.8
• 申請日: 2014-01-09
• 公開（公告）號: CN103871946A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 滿寶元;張超;姜守振;楊誠;許士才
• 申請（專利權(quán)）人: 山東師范大學(xué)
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 濟(jì)南圣達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221
• 代理人: 楊琪

1.一種基于小尺寸目標(biāo)基底的大面積石墨烯轉(zhuǎn)移支撐架，其特征是，包括排列均勻的至少兩個(gè)凹槽，所述凹槽和凹槽之間設(shè)有凹槽隔斷。

2.如權(quán)利要求1所述的一種基于小尺寸目標(biāo)基底的大面積石墨烯轉(zhuǎn)移支撐架，其特征是，所述支撐架的材料為石英、金屬或剛玉。

3.如權(quán)利要求1所述的一種基于小尺寸目標(biāo)基底的大面積石墨烯轉(zhuǎn)移支撐架，其特征是，所述凹槽與目標(biāo)基底的形狀配合。

4.如權(quán)利要求1所述的一種基于小尺寸目標(biāo)基底的大面積石墨烯轉(zhuǎn)移支撐架，其特征是，所述凹槽的直徑和目標(biāo)基底配合。

5.一種利用支撐架的基于小尺寸目標(biāo)基底的大面積石墨烯轉(zhuǎn)移方法，其特征是，步驟如下：

1）在金屬基底的石墨烯薄膜表面涂覆一層粘合劑，烘烤；

2）將涂覆粘合劑的石墨烯薄膜放入腐蝕基底的腐蝕溶液中，金屬基底層朝下，直到金屬基底被完全腐蝕；

3）將腐蝕掉基底的石墨烯/粘合劑薄膜從腐蝕溶液中撈出來放入去離子水中漂洗，至腐蝕液被完全去除；

4）將光纖目標(biāo)基底固定到支撐架的凹槽中；

5）將步驟3）得到的石墨烯/粘合劑薄膜轉(zhuǎn)移至由支撐架支撐的光纖目標(biāo)基底上，將丙酮溶液注入凹槽隔斷中，烘烤；

6）將轉(zhuǎn)移至光纖目標(biāo)基底的石墨烯/粘合劑放入丙酮溶液中去除粘合劑；

7）將步驟6）得到的轉(zhuǎn)移至由支撐架支撐的光纖目標(biāo)基底上的石墨烯漂洗；

8）取走支撐架上的光纖目標(biāo)基底，即實(shí)現(xiàn)石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移。

6.如權(quán)利要求5所述的一種基于小尺寸目標(biāo)基底的大面積石墨烯轉(zhuǎn)移方法，其特征是，粘合劑為PMMA。

7.如權(quán)利要求5所述的一種基于小尺寸目標(biāo)基底的大面積石墨烯轉(zhuǎn)移方法，其特征是，腐蝕溶液優(yōu)選濃度為15-50g/ml的三氯化鐵溶液。

8.如權(quán)利要求5所述的一種基于小尺寸目標(biāo)基底的大面積石墨烯轉(zhuǎn)移方法，其特征是，步驟1）中，烘烤溫度100-200℃，時(shí)間20-60min。

9.如權(quán)利要求5所述的一種基于小尺寸目標(biāo)基底的大面積石墨烯轉(zhuǎn)移方法，其特征是，步驟5）中，烘烤溫度100-200℃，時(shí)間20-60min。

10.如權(quán)利要求5所述的一種基于小尺寸目標(biāo)基底的大面積石墨烯轉(zhuǎn)移方法，其特征是，步驟7）中，石墨烯依次分別在酒精溶液和去離子水中漂洗10～20分鐘。