[發(fā)明專利]一種使用脈沖激光法制備AlSb薄膜太陽電池的技術(shù)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410009620.1
• 申請日: 2014-01-09
• 公開（公告）號: CN103730540A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黎兵;王文武;武莉莉;馮良桓;曾廣根;張靜全;李衛(wèi)
• 申請（專利權(quán)）人: 四川大學(xué)
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.本專利的特征是利用脈沖激光沉積（PLD）技術(shù)，制備新型AlSb基薄膜太陽電池的新技術(shù)，包括：

新型AlSb基薄膜太陽電池的結(jié)構(gòu)；

新型AlSb基薄膜太陽電池的PLD技術(shù)制備細(xì)節(jié)。

2.如權(quán)利要求1所述，其特征是含有AlSb基的無毒廉價化合物薄膜太陽電池結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述，其特征是利用AlSb薄膜材料對太陽光吸收的優(yōu)越特性，設(shè)計出的一種新型的薄膜太陽電池，以FTO?glass/n-ZnS/p-AlSb/electrode為主干結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1所述，其特征是使用PLD技術(shù)，通過同室轉(zhuǎn)靶濺射方式，計算機控制擋板遮擋的時間，進而控制每層薄膜的厚度等，制備出AlSb基新型薄膜太陽電池。

5.如權(quán)利要求1所述，其特征是使用248nm?KrF氣體脈沖激光轟擊計算機控制轉(zhuǎn)靶的多種化合物材料及電極材料靶材，在襯底上依次沉積多層無組分偏析的晶態(tài)薄膜，當(dāng)生成AlSb薄膜后隨即覆蓋上背接觸層，即立即阻斷了自潮解發(fā)生，最后沉積上背電極，制備完成AlSb基薄膜太陽電池。