[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201410008814.X
• 申請日: 2014-01-08
• 公開（公告）號: CN104242606B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 金鍾煥
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H02M1/00
• 分類號: H02M1/00;H02M1/32
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 俞波,毋二省

1.一種半導體器件，包括：

外部電壓檢測單元，所述外部電壓檢測單元適用于檢測外部電壓的電壓電平，以基于檢測結果來輸出外部電壓檢測信號；

參考電壓發生單元，所述參考電壓發生單元適用于基于所述外部電壓來產生參考電壓；

內部電壓發生單元，所述內部電壓發生單元響應于所述外部電壓檢測信號而被使能，適用于選擇性地產生與所述參考電壓相對應的電壓作為內部電壓；以及

內部電壓控制單元，所述內部電壓控制單元在所述內部電壓發生單元被使能時被禁止，適用于：響應于所述外部電壓檢測信號，選擇性地提供具有與所述內部電壓相對應的目標電平的電壓作為所述內部電壓。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，與所述內部電壓相對應的所述目標電平包括處于過電壓狀態的所述外部電壓被箝位的電壓。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述內部電壓發生單元包括泵型的電路。

4.如權利要求1所述的半導體器件，還包括：

過電壓放電單元，所述過電壓放電單元適用于響應于所述外部電壓檢測信號而將處于過電壓狀態的所述外部電壓放電。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述內部電壓發生單元適用于：在所述外部電壓檢測信號具有表示所述外部電壓具有正常電壓的值時被使能，并且產生與所述參考電壓相對應的電壓作為所述內部電壓。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述內部電壓控制單元適用于：在所述外部電壓檢測信號具有表示所述外部電壓處于過電壓狀態的值時而被使能，并且提供具有與所述內部電壓相對應的所述目標電平的電壓作為所述內部電壓。

7.一種半導體器件，包括：

外部電壓檢測單元，所述外部電壓檢測單元適用于檢測外部電壓的電壓電平，以基于檢測結果來輸出外部電壓檢測信號；

參考電壓發生單元，所述參考電壓發生單元適用于基于所述外部電壓來產生參考電壓；

內部電壓發生單元，所述內部電壓發生單元適用于響應于所述外部電壓檢測信號而選擇性地產生與所述參考電壓相對應的電壓作為內部電壓；以及

驅動單元，所述驅動單元適用于響應于所述外部電壓檢測信號而將內部電壓端子選擇性地驅動至所述外部電壓，

其中，當所述內部電壓發生單元響應于外部電壓檢測信號而被使能時，所述驅動單元被禁止。

8.如權利要求7所述的半導體器件，其中，所述內部電壓發生單元包括泵型的電路。

9.如權利要求7所述的半導體器件，還包括：

過電壓放電單元，所述過電壓放電單元適用于基于所述外部電壓檢測單元的檢測結果來使處于過電壓狀態的所述外部電壓放電。

10.如權利要求7所述的半導體器件，其中，所述內部電壓發生單元適用于：在所述外部電壓檢測信號具有表示所述外部電壓具有正常電壓的值時而被使能，并且產生與所述參考電壓相對應的電壓作為所述內部電壓。

11.如權利要求7所述的半導體器件，其中，所述驅動單元適用于：在所述外部電壓檢測信號具有表示所述外部電壓處于過電壓狀態的值時而被使能，并且將所述內部電壓端子驅動至所述外部電壓。

12.一種半導體器件，包括：

外部電壓檢測單元，所述外部電壓檢測單元適用于檢測處于過電壓狀態的外部電壓，以基于檢測結果來輸出外部電壓檢測信號；

參考電壓發生單元，所述參考電壓發生單元適用于基于所述外部電壓來產生參考電壓；

內部電壓檢測單元，所述內部電壓檢測單元適用于將內部電壓與所述參考電壓進行比較以產生泵浦使能信號；

振蕩單元，所述振蕩單元適用于響應于所述泵浦使能信號而輸出振蕩信號；

振蕩信號阻擋單元，所述振蕩信號阻擋單元適用于：響應于所述外部電壓檢測信號而選擇性地阻擋所述振蕩信號的傳送，以輸出內部振蕩信號；

泵浦單元，所述泵浦單元適用于響應于從所述振蕩信號阻擋單元輸出的所述內部振蕩信號而選擇性地產生所述內部電壓；以及

驅動單元，所述驅動單元適用于響應于所述外部電壓檢測信號而將內部電壓端子選擇性地驅動至所述外部電壓。