[發明專利]數據存儲方法、存儲器控制電路單元與存儲器存儲裝置

有效

• 申請號: 201410008652.X
• 申請日: 2014-01-08
• 公開（公告）號: CN104765568B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 葉志剛
• 申請（專利權）人: 群聯電子股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F12/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

本發明提供一種用于在可復寫式非易失性存儲器模塊中存儲數據的數據存儲方法、存儲器控制電路單元與存儲器存儲裝置。本方法包括：在緩沖存儲器中暫存第一數據；并且啟動清空操作，以從此緩沖存儲器中將第一數據寫入至第一實體程序化單元中。本方法還包括：判斷第一實體程序化單元是否為下實體程序化單元；并且若是，將第二數據寫入至第二實體程序化單元，其中第二實體程序單元屬于上實體程序化單元且第二實體程序化單元與第一實體程序化單元是由于同一條字線上的多個存儲單元所構成。基此，本方法可有效地避免執行清空操作所寫入的數據因其他實體程序化單元的程序化失敗而遺失。

技術領域

本發明是有關于一種用于可復寫式非易失性存儲器模塊的數據存儲方法、存儲器控制電路單元與存儲器存儲裝置。

背景技術

數碼相機、手機與MP3在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對存儲媒體的需求也急速增加。由于可復寫式非易失性存儲器（rewritable non-volatile memory）具有數據非易失性、省電、體積小、無機械結構、讀寫速度快等特性，最適于便攜式電子產品，例如筆記本電腦。固態硬盤就是一種以快閃存儲器作為存儲媒體的存儲裝置。因此，近年快閃存儲器產業成為電子產業中相當熱門的一環。

依據每個存儲單元可存儲的比特數，與非（NAND）型快閃存儲器可區分為單階存儲單元（Single Level Cell,簡稱SLC）NAND型快閃存儲器與多階存儲單元（Multi LevelCell,簡稱MLC）NAND型快閃存儲器，其中SLC NAND型快閃存儲器的每個存儲單元可存儲1個比特的數據（即，”1”與”0”），并且MLC NAND型快閃存儲器的每個存儲單元可存儲2個比特的數據。

在NAND型快閃存儲器中，實體頁面是由排列在同一條字線上的數個存儲單元所組成。由于SLC NAND型快閃存儲器的每個存儲單元可存儲1個比特的數據，因此，在SLC NAND型快閃存儲器中，排列在同一條字線上的數個存儲單元是對應一個實體頁面。

相對于SLC NAND型快閃存儲器來說，MLC NAND型快閃存儲器的每個存儲單元的浮動門存儲層可存儲2個比特的數據，其中每一個存儲狀態（即，”11”、”10”、”01”與”00”）包括最低有效比特（Least Significant Bit,簡稱LSB）以及最高有效比特（Most SignificantBit,簡稱MSB）。例如，存儲狀態中從左側算起的第1個比特的值為LSB，而從左側算起的第2個比特的值為MSB。因此，排列在同一條字線上的數個存儲單元可組成2個實體頁面，其中由此些存儲單元的LSB所組成的實體頁面稱為下實體頁面（low physical page），并且由此些存儲單元的MSB所組成的實體頁面稱為上實體頁面（upper physical page）。特別是，下實體頁面的寫入速度會快于上實體頁面的寫入速度，并且當程序化上實體頁面發生錯誤時，下實體頁面所存儲之數據也可能因此遺失。

特別是，在執行清空(flush)操作，以將存儲器存儲裝置的緩沖存儲器內的數據寫入至快閃存儲器模塊后，緩沖存儲器內的數據會被清除。之后，若發生因程序化上實體頁面發生程序化錯誤而導致對應的下實體頁面所存儲的數據遺失，由于緩沖存儲器內的數據已被清除，將造成數據無法被復原，而嚴重影響存儲器存儲裝置的可靠度。

發明內容

本發明提供一種數據存儲方法、存儲器控制電路單元與存儲器存儲裝置，其可有效地避免執行清空操作而寫入至可復寫式非易失性存儲器中的數據因其他實體程序化單元的程序化失敗而遺失。