[發明專利]像素單元平面化層中用于黑電平校正的光學屏蔽

有效

• 申請號: 201410008314.6
• 申請日: 2014-01-08
• 公開（公告）號: CN104469188B
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發明（設計）人: 陳剛;李津;毛杜立;戴森·H·戴
• 申請（專利權）人: 豪威科技股份有限公司
• 主分類號: H04N5/357
• 分類號: H04N5/357;H04N5/361;H01L27/146
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 齊楊

1.一種像素陣列，其包含：

多個光電二極管，其安置在半導體層中且布置在所述像素陣列中；

彩色濾光器層，其接近所述半導體層安置，其中光穿過所述彩色濾光器層經引導到所述多個光電二極管中的至少第一者，其中所述光穿過所述像素陣列的背側經引導到所述多個光電二極管中的所述至少第一者；

光學屏蔽層，其接近所述彩色濾光器層安置，其中所述彩色濾光器層安置在所述光學屏蔽層與所述半導體層之間，其中所述光學屏蔽層為所述多個光電二極管中的至少第二者屏蔽所述光；以及

平面化層，其安置在所述彩色濾光器層的上方，以使得所述平面化層的至少一部分安置在所述光學屏蔽層與所述彩色濾光器層之間。

2.根據權利要求1所述的像素陣列，其中所述半導體層包含硅。

3.根據權利要求1所述的像素陣列，其進一步包含一個或一個以上安置在所述半導體層與所述彩色濾光器層之間的中間層。

4.根據權利要求3所述的像素陣列，其中所述一個或一個以上中間層包含氮化硅和碳化硅中的至少一者。

5.根據權利要求1所述的像素陣列，其中所述光學屏蔽層沉積在于所述彩色濾光器層上方安置的所述平面化層中。

6.根據權利要求1所述的像素陣列，其中所述光學屏蔽層包含金屬。

7.根據權利要求1所述的像素陣列，其進一步包含一個或一個以上接近所述光學屏蔽層安置的透鏡，其中所述光經引導穿過所述一個或一個以上透鏡和所述彩色濾光器層到達所述多個光電二極管。

8.一種成像系統，其包含：

像素陣列，其包括：

多個光電二極管，其安置在半導體層中且布置在所述像素陣列中；

彩色濾光器層，其接近所述半導體層安置，其中光穿過所述彩色濾光器層經引導到所述多個光電二極管中的至少第一者，其中所述光穿過所述像素陣列的背側經引導到所述多個光電二極管中的所述至少第一者；

光學屏蔽層，其接近所述彩色濾光器層安置，其中所述彩色濾光器層安置在所述光學屏蔽層與所述半導體層之間，其中所述光學屏蔽層為所述多個光電二極管中的至少第二者屏蔽所述光；以及

平面化層，其安置在所述彩色濾光器層的上方以使得所述平面化層的至少一部分安置在所述光學屏蔽層與所述彩色濾光器層之間；

控制電路，其耦合到所述像素陣列以控制所述像素陣列的操作；以及

讀出電路，其耦合到所述像素陣列以從所述像素陣列讀出圖像數據。

9.根據權利要求8所述的成像系統，其中所述像素陣列的每一像素包含所述多個光電二極管中的至少一者。

10.根據權利要求8所述的成像系統，其進一步包含耦合到所述讀出電路以存儲從所述像素陣列讀出的所述圖像數據的功能邏輯。

11.根據權利要求8所述的成像系統，其中所述半導體層包含硅。

12.根據權利要求8所述的成像系統，其中所述像素陣列進一步包括一個或一個以上安置在所述半導體層與所述彩色濾光器層之間的中間層。

13.根據權利要求12所述的成像系統，其中所述一個或一個以上中間層包含氮化硅和碳化硅中的至少一者。

14.根據權利要求8所述的成像系統，其中所述光學屏蔽層沉積在于所述彩色濾光器層上方安置的平面化層中。

15.根據權利要求8所述的成像系統，其中所述光學屏蔽層包含金屬。

16.根據權利要求8所述的成像系統，其中所述像素陣列進一步包含一個或一個以上接近所述光學屏蔽層安置的透鏡，其中所述光經引導穿過所述一個或一個以上透鏡和所述彩色濾光器層到達所述多個光電二極管。