[發(fā)明專利]晶體管結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410008233.6
• 申請日: 2014-01-08
• 公開（公告）號: CN104659210A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐振航;王裕霖;王旨玄;辛哲宏
• 申請（專利權(quán)）人: 元太科技工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種晶體管結(jié)構(gòu)，配置于基板上，其特征在于該晶體管結(jié)構(gòu)包括：

柵極；

有機半導體層；

柵絕緣層，配置于該柵極與該有機半導體層之間；以及

圖案化金屬層，具有導電氧化表面，且該圖案化金屬層區(qū)分為源極及漏極，其中該有機半導體層的一部分暴露于該源極與該漏極之間，且該導電氧化表面直接接觸該有機半導體層。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于該源極與該漏極配置于該基板上且暴露出該基板的一部分，該有機半導體層配置于該源極與該漏極上且覆蓋該基板的該部分，該柵絕緣層配置于該有機半導體層上且覆蓋該有機半導體層、該源極以及該漏極，該柵極配置于該柵絕緣層上。

3.如權(quán)利要求1所述的晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于該圖案化金屬層的材質(zhì)包括鉬、鉻、鋁、鎳、銅或上述金屬的合金。

4.如權(quán)利要求1所述的晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于該導電氧化表面的厚度介于1納米至100納米之間。

5.一種晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于包括：

對圖案化金屬層的表面進行表面處理程序，以形成具有導電氧化表面的該圖案化金屬層，其中該圖案化金屬層區(qū)分為源極及漏極；以及

形成柵極、有機半導體層以及柵絕緣層，其中該柵絕緣層配置于該柵極與該有機半導體層之間，而該有機半導體層的一部分暴露于該源極與該漏極之間，且該導電氧化表面直接接觸該有機半導體層。

6.如權(quán)利要求5所述的晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該表面處理程序包括含氧的等離子體處理程序、含氧的熱處理程序、化學氧化程序或電化學氧化處理程序。

7.如權(quán)利要求5所述的晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該源極與該漏極形成于基板上且暴露出該基板的一部分，該有機半導體層形成于該源極與該漏極上且覆蓋該基板的該部分，而該柵絕緣層形成于該有機半導體層上且覆蓋該有機半導體層、該源極以及該漏極，且該柵極形成于該柵絕緣層上。

8.如權(quán)利要求5所述的晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該導電氧化表面的厚度介于1納米至100納米之間。

9.如權(quán)利要求5所述的晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該圖案化金屬層的材質(zhì)包括鉬、鉻、鋁、鎳、銅或上述金屬的合金。

10.一種晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于包括：

形成金屬層于導電氧化層上；

對該導電氧化層與該金屬層進行圖案化程序，而定義出源極與漏極以及位于該源極與該漏極上的圖案化導電氧化層；以及

形成柵極、有機半導體層以及柵絕緣層，其中該柵絕緣層配置于該柵極與該有機半導體層之間，而該有機半導體層的一部分暴露于該源極與該漏極之間，且該圖案化導電氧化層直接接觸該有機半導體層。

11.如權(quán)利要求10所述的晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該柵極形成于基板上，該柵絕緣層形成于該柵極上且覆蓋該柵極與部分該基板，而該有機半導體層形成于該柵絕緣層上，且該源極與該漏極形成于該有機半導體層上。

12.如權(quán)利要求10所述的晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該源極與該漏極形成于基板上且暴露出該基板的一部分，該有機半導體層形成于該源極與該漏極上且覆蓋該基板的該部分，而該柵絕緣層形成于該有機半導體層上且覆蓋該有機半導體層、該源極以及該漏極，且該柵極形成于該柵絕緣層上。

13.如權(quán)利要求10所述的晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該圖案化導電氧化層的厚度介于1納米至100納米之間。

14.如權(quán)利要求10所述的晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該金屬層的材質(zhì)包括鉬、鉻、鋁、鎳、銅或上述金屬的合金。