[發明專利]測試閃爍材料余輝的裝置及方法

無效

• 申請號: 201410007229.8
• 申請日: 2014-01-07
• 公開（公告）號: CN103713003A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 李煥英;任國浩;徐權
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: G01N23/223
• 分類號: G01N23/223
• 代理公司: 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲;姚佳雯

1.一種測試閃爍材料余輝的裝置，其特征在于，包括：

暗箱；

設于所述暗箱內的激發光源；

用于控制所述激發光源以使其按次數曝光的曝光控制單元；

在所述暗箱內位于所述激發光源下方且用于載置閃爍材料的臺架；

在所述臺架上設于所述閃爍材料下方以將所述閃爍材料產生的光信號轉換為電信號的光電轉換器件；

與所述光電轉換器件相連以將所述電信號轉換為電壓信號并放大的放大電路；

用于采集所述電壓信號的信號采集單元；?以及

用于將采集到的所述電壓信號轉換為電子數據并顯示的控制單元。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述光電轉換器件為硅光電二極管或者光電倍增管。

3.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述放大電路設于所述暗箱的外部。

4.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述光電轉換器件與所述放大電路之間通過同軸電纜相連。

5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述光電轉換器件為陣列型硅光電二極管。

6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述放大電路設于所述暗箱內。

7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述陣列型硅光電二極管安裝入所述放大電路的連接插孔中。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的裝置，其特征在于，所述臺架為可升降臺架。

9.根據權利要求1至7中任一項所述的裝置，其特征在于，所述放大電路與所述信號采集單元之間通過磁屏蔽同軸電纜相連。

10.根據權利要求1至7中任一項所述的裝置，其特征在于，還包括分別設于所述暗箱的外部且用于對所述激發光源和所述放大電路供電的供電單元。

11.根據權利要求1至7中任一項所述的裝置，其特征在于，所述曝光控制單元設于所述暗箱的外部。

12.根據權利要求1至7中任一項所述的裝置，其特征在于，所述信號采集單元為垂直分辨率大于10位的數字采集卡、或垂直分辨率大于10位的采集模式下的示波器、或萬用表。

13.一種由上述權利要求1至12中任一項所述的裝置執行的測試閃爍材料余輝的方法，其特征在于，包括：

將閃爍材料載置于暗箱內的激發光源下方的臺架上；

控制所述激發光源使其按次數曝光；

將所述閃爍材料受激后產生的光信號轉換為電信號；

將所述電信號轉換為電壓信號并放大；

采集所述電壓信號；以及

將采集到的所述電壓信號轉換為電子數據并顯示。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述激發光源是脈沖X射線光源或連續X射線光源，且在距離出光口10cm處，X射線劑量的穩定性在±15%以內。

15.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，將陣列型閃爍材料以閃爍材料的每個像素分別與陣列型硅光電二極管的每個像素對齊的方式放置在陣列型硅光電二極管上。