[發明專利]電流阻擋層的制作方法及相應LED芯片

有效

• 申請號: 201410006643.7
• 申請日: 2014-01-07
• 公開（公告）號: CN103730550A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 李忠武;魏天使;何金霞
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

技術領域

本發明涉及LED芯片制造領域，具體地涉及一種電流阻擋層的制作方法、以及具有由上述制作方法形成的電流阻擋層的LED芯片。

背景技術

作為目前全球最受矚目的新一代光源，LED因其高亮度、低熱量、長壽命、無毒、可回收再利用等優點，被稱為是21世紀最有發展前景的綠色照明光源。LED是一種能夠發光的半導體電子元件，其可廣泛用于電路、照明等諸多領域。對于LED芯片而言，現有的LED芯片中沒有電流阻擋層，或者阻擋效果不好。從而，在較高電壓下會微導電，影響了絕緣的效果。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種電流阻擋層的制作方法、以及相應的LED芯片。

為了實現上述目的之一，本發明實施例提供的技術方案如下：

一種電流阻擋層的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步驟：

S1.對晶圓表面進行清洗；

S2.刻蝕Mesa區域至N型半導體層；

S3.再將晶圓放入氣相化學沉積儀的腔體內，在對晶圓進行預熱，并抽真空，保持腔體內溫度恒定；

S4.在腔體中進行電流阻擋層的第一次沉積，當沉積10～300埃厚度的二氧化硅膜后，停止沉積，進行抽真空；

S5.在第一次沉積的二氧化硅膜的基礎上，在腔體中進行第二次沉積，當沉積100～500埃厚度的二氧化硅膜后，停止沉積，進行抽真空；

S6.在第二次沉積的電流阻擋層的基礎上，在腔體中進行第三次沉積，當沉積1000～3000埃厚度的二氧化硅膜后，光刻腐蝕形成電流阻擋層，并去除光刻膠。

作為本發明的進一步改進，所述第一次沉積包括：向腔體內通入N₂O氣體，再通入硅烷、或硅烷的混合氣，以及氮氣，待壓力穩定后，在等離子電離的條件下發生化學反應，所述N₂O氣體與硅烷或硅烷的混合氣的比例為5:1～10:1，等離子電離條件下的等離子功率為20～100W，發生化學反應時，腔體內的壓力為500～900mTorr。

作為本發明的進一步改進，所述第二次沉積包括：向腔體內通入N₂O氣體，再通入硅烷、或硅烷的混合氣，以及氮氣，待壓力穩定后，在等離子電離的條件下發生化學反應，所述N₂O氣體與硅烷或硅烷的混合氣的比例為40:1～100:1，等離子電離條件下的等離子功率為20～100W，發生化學反應時，腔體內的壓力為500～900mTorr。

作為本發明的進一步改進，所述第二次沉積包括：向腔體內通入N₂O氣體，再通入硅烷、或硅烷的混合氣，以及氮氣，待壓力穩定后，在等離子電離的條件下發生化學反應，所述N₂O氣體與硅烷或硅烷的混合氣的比例為40:1～100:1，離子電離條件下的等離子功率為30～70W，發生化學反應時，腔體內的壓力為600～800mTorr。

作為本發明的進一步改進，所述S1中清洗時，利用王水清洗10min，并使用硫酸雙氧水的混合液清洗10min，再沖水甩干。

作為本發明的進一步改進，所述S2中刻蝕Mesa區域時，先進行光刻，再進行等離子刻蝕，所述電流阻擋層的制作方法還包括，在刻蝕Mesa區域后，對光刻膠進行去除。

作為本發明的進一步改進，在200～300℃的條件下對所述晶圓進行預熱。

作為本發明的進一步改進，所述電流阻擋層的制作方法還包括：S7.等離子濺射形成ITO膜，光刻腐蝕形成歐姆接觸層；其中，等離子濺射形成ITO膜時，鍍膜溫度為250-300℃，ITO膜厚度為300～1000埃，鍍率為1A/S。

作為本發明的進一步改進，所述電流阻擋層的制作方法還包括：S8.光刻蒸發電極；其中，光刻蒸發電極時，以鉻為粘附層，其上設置有2000埃的鋁反射鏡，鋁反射鏡上鍍有1.2～1.8μm的金。

為了實現上述另一發明目的，本發明實施例提供的技術方案如下：

一種LED芯片，其包括襯底，所述襯底上依次設置有N型半導體層、發光層、P型半導體層，所述P型半導體層層上設置有如上所述的制作方法形成的電流阻擋層，所述電流阻擋層上設置有ITO膜層，所述ITO膜層上鍍有N電極和P電極。