[發(fā)明專利]多繞組變壓器耦合的放大器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410005796.X
• 申請日: 2014-01-07
• 公開（公告）號: CN103916090B
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發(fā)明（設計）人: E·P·戈登
• 申請（專利權）人: 美國亞德諾半導體公司
• 主分類號: H03F3/195
• 分類號: H03F3/195
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 劉倜

1.一種集成電路，包括：

第一射頻放大器，其包括以負反饋路徑的方式與增益設備耦合的三股變壓器，其中所述三股變壓器包括第一繞組、第二繞組和第三繞組，其中第一電介質芯安置在所述第一繞組與所述第二繞組之間，并且第二電介質芯安置在所述第二繞組與所述第三繞組之間，其中所述第一繞組與所述第二繞組之間的第一繞組比率與所述第二繞組與所述第三繞組之間的第二繞組比率組合來影響所述第一射頻放大器的總增益，

所述第一射頻放大器的兩個繞組以負反饋路徑的方式與所述增益設備的相應端子耦合。

2.如權利要求1所述的集成電路，其中所述第一射頻放大器的與所述兩個繞組不同的一個繞組以負反饋路徑的方式與所述增益設備耦合，并且

所述增益設備是晶體管，并且其中所述第一繞組的一端耦合至所述晶體管的基極，所述第二繞組的一端耦合至所述晶體管的集電極，并且所述第三繞組的一端耦合至所述晶體管的發(fā)射極。

3.如權利要求1所述的集成電路，其中所述第一繞組的另一端進一步耦合至所述第一射頻放大器的輸入端，所述第二繞組的另一端進一步耦合至所述第一射頻放大器的輸出端和電源，并且所述第三繞組的另一端進一步耦合接地。

4.如權利要求2所述的集成電路，其進一步包括耦合在發(fā)射極與所述第三繞組之間的負反饋電阻。

5.如權利要求2所述的集成電路，其進一步包括安置在所述第一繞組與基極之間的交流阻塞扼流圈，其中所述交流阻塞扼流圈便于對所述基極提供直流偏壓。

6.如權利要求1所述的集成電路，其中所述三股變壓器在具有多個層的集成芯片上實現(xiàn)，其中所述第一電介質芯定位在與所述第二電介質芯不同的層上。

7.如權利要求1所述的集成電路，其中所述三股變壓器在具有多個層的集成芯片上實現(xiàn)，其中所述第一電介質芯與所述第二電介質芯定位在共同層上。

8.如權利要求1所述的集成電路，其進一步包括第二射頻放大器，所述第二射頻放大器與所述第一射頻放大器級聯(lián)在一起以獲得更高增益放大，所述第二射頻放大器包括耦合至額外增益設備的額外三股變壓器，其中所述額外三股變壓器耦合至所述第一射頻放大器的輸出端。

9.如權利要求8所述的集成電路，其進一步包括位于所述第二射頻放大器的輸出端處的匹配網(wǎng)絡來匹配輸出阻抗。

10.如權利要求8所述的集成電路，其進一步包括位于所述第一射頻放大器的輸入端處的匹配網(wǎng)絡來匹配輸入阻抗。

11.如權利要求8所述的集成電路，其進一步包括橫跨所述三股電壓器的有源匹配網(wǎng)絡來匹配輸入阻抗。

12.一種包括射頻放大器的系統(tǒng)，其包括：

母板；

耦合至所述母板的多個電子組件；以及

第一射頻放大器，其包括以負反饋路徑的方式與增益設備耦合的三股變壓器，其中所述三股變壓器包括：

第一繞組；

第二繞組；以及

第三繞組；其中第一電介質芯安置在所述第一繞組與所述第二繞組之間，并且第二電介質芯安置在所述第二繞組與所述第三繞組之間，其中所述第一繞組與所述第二繞組之間的第一繞組比率與所述第二繞組與所述第三繞組之間的第二繞組比率組合來影響所述第一射頻放大器的總增益，

所述第一射頻放大器的兩個繞組以負反饋路徑的方式與所述增益設備的相應端子耦合。

13.如權利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述第一射頻放大器的與所述兩個繞組不同的一個繞組以負反饋路徑的方式與所述增益設備耦合。

14.如權利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述增益設備是晶體管，所述第一繞組的一端耦合至所述晶體管的基極，所述第二繞組的一端耦合至所述晶體管的集電極，并且所述第三繞組的一端耦合至所述晶體管的發(fā)射極。

15.如權利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述第一繞組的另一端進一步耦合至所述第一射頻放大器的輸入端，所述第二繞組的另一端進一步耦合至所述第一射頻放大器的輸出端和電源，并且所述第三繞組的另一端進一步耦合接地。

16.如權利要求14所述的系統(tǒng)，其進一步包括耦合在發(fā)射極與所述第三繞組之間的負反饋電阻。