[發明專利]大直徑直拉硅片的一種內吸雜工藝有效
| 申請號： | 201410004363.2 | 申請日： | 2014-01-02 |
| 公開（公告）號： | CN104762656B | 公開（公告）日： | 2017-12-22 |
| 發明（設計）人： | 馬向陽;王劍;高超;董鵬;趙劍;楊德仁 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通專利事務所有限公司33100 | 代理人： | 劉曉春 |
| 地址： | 310027*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 徑直 硅片 一種 雜工 | ||
1.大直徑直拉硅片的一種內吸雜工藝，其特征在于包括以下步驟：
1)將硅片于惰性氣氛下進行高溫預處理，所述的高溫預處理為：首先進行高溫普通熱處理，然后進行高溫快速熱處理；所述的高溫普通熱處理的溫度為1150～1250℃，熱處理時間為0.25～1小時；
2)將經步驟1)處理的硅片進行惰性氣氛下的低溫普通熱處理；
3)將經步驟2)處理的硅片進行惰性氣氛下的中高溫普通熱處理；
所述的惰性氣氛為氬氣或氮氣。
2.根據權利要求1所述的內吸雜工藝，其特征在于：步驟1)中所述的高溫快速熱處理的溫度為1200～1250℃，升溫速率為50～100℃/秒，1200～1250℃溫度的維持時間為30～120秒，冷卻速率為10～100℃/秒。
3.根據權利要求1所述的內吸雜工藝，其特征在于：步驟1)中所述的高溫普通熱處理的溫度為1200～1250℃，熱處理時間為0.5～0.75小時。
4.根據權利要求1所述的內吸雜工藝，其特征在于：步驟1)中所述的高溫快速熱處理的溫度為1200～1250℃，升溫速率為50～100℃/秒，1200～1250℃溫度的維持時間為30～60秒，冷卻速率為50～100℃/秒。
5.根據權利要求1所述的內吸雜工藝，其特征在于：步驟2)中所述的低溫普通熱處理溫度為650～850℃，熱處理時間為4～8小時。
6.根據權利要求1所述的內吸雜工藝，其特征在于：步驟3)中所述的中高溫普通熱處理溫度為900～1050℃，熱處理時間為4～10小時。
7.根據權利要求6所述的內吸雜工藝，其特征在于：步驟3)中所述的中高溫普通熱處理溫度為1000～1050℃，熱處理時間為6～8小時。
8.根據權利要求1-7任一項所述的內吸雜工藝，其特征在于：所述硅片的直徑為150mm以上。
9.根據權利要求8所述的內吸雜工藝，其特征在于：所述硅片的直徑為200mm以上。
10.根據權利要求9所述的內吸雜工藝，其特征在于：所述硅片的直徑為200mm～300mm。
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