[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410003293.9 | 申請日: | 2014-01-03 |
| 公開(公告)號: | CN103915479B | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金慶昊;鄭鎮(zhèn)九 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;楊莘 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 絕緣層 輔助電極 有機發(fā)光顯示裝置 第二電極 第一電極 有機層 襯底 金屬層 制造 | ||
1.一種有機發(fā)光顯示裝置,包括:
襯底;
絕緣層,設(shè)置在所述襯底上;
第一電極,設(shè)置在所述絕緣層上;
有機層,設(shè)置在所述第一電極上;
第二電極,設(shè)置在所述有機層上;
輔助電極,設(shè)置在所述絕緣層上;以及
金屬層,設(shè)置為與所述輔助電極相鄰且連接至所述輔助電極和所述第二電極,
其中,所述輔助電極上設(shè)置有所述有機層。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中所述第二電極是光學透明或半透明的,并且其中所述輔助電極的形狀為倒梯形。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中所述第一電極反射由所述有機層產(chǎn)生的光。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中所述第一電極和所述金屬層由不同的材料形成。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中所述金屬層包括鎂。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,還包括設(shè)置在所述第二電極上的封蓋層,所述封蓋層被設(shè)置為不與所述輔助電極相鄰。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其中所述封蓋層由有機材料形成。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其中所述金屬層被設(shè)置在未設(shè)置有所述封蓋層的區(qū)域中。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,還包括:
像素限定層,設(shè)置在所述絕緣層上;以及
第一孔口和第二孔口,未設(shè)置有所述像素限定層,所述第一電極被設(shè)置在所述第一孔口內(nèi),并且所述輔助電極和所述金屬層被設(shè)置在所述第二孔口內(nèi)。
10.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法,所述方法包括:
在襯底上形成絕緣層;
在所述絕緣層上形成第一電極和輔助電極,所述輔助電極與所述第一電極分離;
在所述第一電極和所述輔助電極上形成有機層,在所述有機層上形成第二電極,所述有機層和所述第二電極被形成為在與所述輔助電極相鄰的區(qū)域中被中斷;以及
在所述第二電極和所述輔助電極上形成金屬層,所述金屬層填充與所述輔助電極相鄰的所述區(qū)域并連接至所述第二電極和所述輔助電極。
11.如權(quán)利要求10所述的方法,還包括在所述第二電極上形成封蓋層,在包括所述輔助電極的區(qū)域中不形成所述封蓋層。
12.如權(quán)利要求11所述的方法,其中在形成所述封蓋層之后形成所述金屬層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法,其中在不使用掩膜的情況下形成所述金屬層。
14.如權(quán)利要求12所述的方法,其中所述封蓋層由有機材料形成,所述金屬層由Mg形成。
15.如權(quán)利要求10所述的方法,還包括在所述絕緣層上形成像素限定層以形成使所述第一電極暴露的第一孔口和使所述輔助電極暴露的第二孔口。
16.如權(quán)利要求15所述的方法,其中在形成所述像素限定層之后形成所述有機層和所述第二電極。
17.如權(quán)利要求16所述的方法,還包括在所述第二電極上形成封蓋層,其中,在所述第二孔口內(nèi)不形成所述封蓋層。
18.如權(quán)利要求17所述的方法,其中在所述第二孔口內(nèi)形成所述金屬層。
19.如權(quán)利要求10所述的方法,其中所述第二電極由光學透明或半透明材料形成,并且其中所述輔助電極的形狀為倒梯形。
20.如權(quán)利要求10所述的方法,其中在所述有機發(fā)光顯示裝置的整個表面上形成所述有機層和所述第二電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





