[發明專利]具有改善粘附性能和填充性能的鎢層沉積方法

在審

• 申請號: 201410003202.1
• 申請日: 2014-01-03
• 公開（公告）號: CN104766792A
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發明（設計）人: 徐強;趙超;羅軍;王桂磊;楊濤;李俊峰
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種沉積鎢(W)層的方法，包括：

對襯底進行預處理，以在襯底的表面上沉積SiH₄源W膜；以及

在經預處理的表面上沉積B₂H₆源W層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在襯底的表面上形成數個原子層的SiH₄源W膜。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，SiH₄源W膜的沉積與B₂H₆源W層的沉積通過單一的原子層沉積(ALD)工藝進行。

4.根據權利要求3所述的方法，所述單一的ALD工藝包括：反應源氣體浸沒操作、反應源氣體引入操作、主沉積操作。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，形成SiH₄源W膜包括：

在反應源氣體浸沒操作中，向反應腔中引入SiH₄；以及

在反應源氣體引入操作中，向反應腔中引入SiH₄和WF₆。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，在反應源氣體引入操作中，向反應腔中交替引入SiH₄和WF₆數個周期。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，周期數為2-10。

8.根據權利要求4所述的方法，其中，沉積B₂H₆源W層包括：

在主沉積操作中，向反應腔中交替引入B₂H₆和WF₆若干周期。

9.根據權利要求8所述的方法，其中周期數取決于要沉積的W層的厚度。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底包括經后柵工藝處理后形成的柵槽，所述W膜和W層填充到該柵槽中以用作柵電極。