[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體長膜工藝中靜電卡盤及晶片溫度的辨識方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410002602.0 | 申請日: | 2014-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN103762188A | 公開(公告)日: | 2014-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙霞;屈德濤;王業(yè)通 | 申請(專利權(quán))人: | 同濟(jì)大學(xué) |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01K3/02 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 吳林松 |
| 地址: | 200092 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體 工藝 靜電 卡盤 晶片 溫度 辨識 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體長膜工藝中靜電卡盤及晶片溫度的辨識方法,其特征在于:包括以下步驟:
(1)濾波處理,對靜電卡盤和晶片的溫度數(shù)據(jù)序列進(jìn)行濾波處理,以消除高頻噪聲的影響,得到平滑的溫度數(shù)據(jù)序列;
(2)差分處理,對濾波后的溫度數(shù)據(jù)序列做差分處理,并確定差分?jǐn)?shù)據(jù)的最大值MaxDiff和最小值MinDiff,差分?jǐn)?shù)據(jù)大于0部分的平均值即正均值PosMean和小于0部分的平均值即負(fù)均值NegMean;
(3)確定靜電卡盤溫度和晶片溫度分別對應(yīng)的緩變段準(zhǔn)確位置信息:
(a)根據(jù)所述最大值MaxDiff、最小值MinDiff、正均值PosMean以及負(fù)均值NegMean設(shè)定第一峰門限值PeakGate和第一谷門限值TroughGate,分別比較第一峰門限值PeakGate、第一谷門限值TroughGate和差分?jǐn)?shù)據(jù)的大小,以確定差分?jǐn)?shù)據(jù)中M組靜電卡盤的溫度緩變段初步位置和m組晶片的溫度緩變段初步位置;
(b)根據(jù)正均值PosMean以及負(fù)均值NegMean設(shè)定第二峰門限值和第二谷門限值,且第二峰門限值小于第一峰門限值,第二谷門限值大于第一谷門限值,分別比較M組靜電卡盤/m組晶片的溫度緩變段初步位置中對應(yīng)的差分?jǐn)?shù)據(jù)與第二峰門限值和第二谷門限值的大小,確定所有的靜電卡盤和晶片的溫度緩變段準(zhǔn)確位置;
(4)分別計算靜電卡盤溫度值和晶片溫度值:分別對所述所有的靜電卡盤/晶片溫度緩變段的準(zhǔn)確位置中對應(yīng)的濾波數(shù)據(jù)求取平均值,以得到靜電卡盤及晶片的溫度值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體長膜工藝中靜電卡盤及晶片溫度的辨識方法,其特征在于:所述步驟(a)中,當(dāng)差分?jǐn)?shù)據(jù)中對應(yīng)數(shù)值大于第一峰門限值PeakGate時,判斷其為峰段數(shù)據(jù),記錄峰段開始點(diǎn)及結(jié)束點(diǎn)的位置并定義為峰段數(shù)組,則差分?jǐn)?shù)據(jù)中包括多組峰段數(shù)組,將每組峰段數(shù)組中峰段開始點(diǎn)和結(jié)束點(diǎn)的位置信息添加“+”號,并記錄到峰段/谷段數(shù)組中,當(dāng)差分?jǐn)?shù)據(jù)中對應(yīng)數(shù)值小于第一谷門限數(shù)值TroughGate時,判斷其為谷段數(shù)據(jù),記錄谷段開始點(diǎn)及結(jié)束點(diǎn)的位置并定義為谷段數(shù)組,則差分?jǐn)?shù)據(jù)中包括多組谷段數(shù)組,將每組谷段數(shù)組中谷段開始點(diǎn)和結(jié)束點(diǎn)的位置信息添加“-”號,并記錄到峰段/谷段數(shù)組,則M組靜電卡盤溫度緩變段的初步位置即為多個峰段結(jié)束點(diǎn)至谷段開始點(diǎn)之間的位置,亦即峰段/谷段數(shù)組中多組“+”~“-”之間的位置;晶片溫度緩變段的初步位置即為谷段結(jié)束點(diǎn)至峰段開始點(diǎn)之間的位置,亦即峰段/谷段數(shù)組中多組“-”~“+”之間的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體長膜工藝中靜電卡盤及晶片溫度的辨識方法,其特征在于:步驟(a)中,對峰段/谷段數(shù)組的首末位置進(jìn)行分析,考慮差分?jǐn)?shù)據(jù)的兩端是否有較多數(shù)據(jù)未被包括在峰段/谷段數(shù)組中,若是,則更新峰段/谷段數(shù)組。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體長膜工藝中靜電卡盤及晶片溫度的辨識方法,其特征在于:若峰段/谷段數(shù)組首位置為正值,在首位置前加入一個負(fù)值(-1),否則加入一個正值(+1);若峰段/谷段數(shù)組末位置為正值,則在末位置后加入一個負(fù)值(-(n-1),n為濾波數(shù)據(jù)總數(shù)),否則加入一個正值(+(n-1),n為濾波數(shù)據(jù)總數(shù))。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





