[發(fā)明專利]氮化鋁覆銅陶瓷基板的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410001975.6 | 申請日: | 2014-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN103762181B | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 俞曉東;賀賢漢;李德善;祝林 | 申請(專利權(quán))人: | 上海申和熱磁電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 上海順華專利代理有限責(zé)任公司 31203 | 代理人: | 沈履君 |
| 地址: | 200444 上海市寶*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氮化 鋁覆銅 陶瓷 制備 方法 | ||
1.氮化鋁覆銅陶瓷基板的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
第一步,對氮化鋁陶瓷和銅片進行清洗;
第二步,對氮化鋁陶瓷進行預(yù)氧化處理,使陶瓷表面生成氧化鋁層;
第三步,對預(yù)氧化后的氮化鋁陶瓷表面添加金屬改性層,所述金屬改性層為含銅氧化物,并進行燒結(jié);
第四步,銅片表面進行熱氧化處理,使銅片表面生成氧化亞銅;
第五步,將銅片放置在經(jīng)過改性處理的氮化鋁陶瓷表面進行第一面燒結(jié),完成之后再進行第二面燒結(jié);
所述金屬改性層為CuO或Cu2O或兩者混合物;
所述金屬改性層為CuAlO2或CuAl2O4或兩者混合物;
所述金屬改性層的厚度為1μm~50μm;
所述第三步中,燒結(jié)是在1050℃~1200℃下進行,燒結(jié)時間為10min~120min,氣氛為氮氣保護的弱氧氣氛,氧含量為100ppm~1000ppm;
所述第一步中,對氮化鋁陶瓷和銅片采用酸堿溶液、去離子水,通過超聲清洗、噴淋、預(yù)脫水工藝進行清洗;
所述第二步中,對氮化鋁陶瓷進行預(yù)氧化處理,溫度設(shè)定為1000℃~1300℃,氧化時間為0.5h~24h,氣氛為氮氣保護下的氧化氣氛,氮氧含量比為4:1~10:1,氧化鋁層厚度為1μm~100μm;
所述第四步中,銅片表面進行熱氧化處理,氧化溫度設(shè)定為500℃~900℃,氧化時間為10min~60min,氧化氣氛為氮氣保護下的氧化氣氛,氧含量為500ppm~3000ppm;
所述第五步中,第一面燒結(jié)的溫度設(shè)定為1060℃~1075℃,燒結(jié)時間為20min~35min,氣氛為氮氣保護的弱氧氣氛,氧含量為5ppm~200ppm;
第二面燒結(jié)的溫度設(shè)定為1065℃~1080℃,燒結(jié)時間為20min~35min,氣氛為氮氣保護的弱氧氣氛,氧含量為5ppm~200ppm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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