[發明專利]一種防止聲表面波器件在溫度試驗中靜電燒傷的方法有效
| 申請號: | 201410001479.0 | 申請日: | 2014-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN103698642A | 公開(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發明(設計)人: | 趙雪梅;劉光聰;董加和;周毅;夏艷;鄢秋娟;張靜雯;蔣欣;冷俊林;伍平 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第二十六研究所 |
| 主分類號: | G01R31/00 | 分類號: | G01R31/00 |
| 代理公司: | 重慶博凱知識產權代理有限公司 50212 | 代理人: | 李海華 |
| 地址: | 400060 *** | 國省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 防止 表面波 器件 溫度 試驗 靜電 燒傷 方法 | ||
技術領域
本發明涉及聲表面波器件環境試驗損壞的防護,具體涉及一種防止聲表面波器件在溫度試驗中被靜電燒傷的新方法,屬于聲表面波器件溫度試驗領域。
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背景技術
聲表面波器件是電子設備中一類重要的元件,用于選取通帶內的有用信號,濾除通帶外的無用信號,以提高設備的選擇性和抗干擾能力。隨著科學技術發展,聲表面波器件應用面和使用量越來越大。
由于聲表面波器件是以壓電基片為基礎材料,在表面制作特定的叉指電極而成,壓電基片具有熱釋電效應,特別是鉭酸鋰和鈮酸鋰的熱釋電系數較大,在溫度急劇變化時,會產生較強的靜電電荷,被叉指換能器收集,容易造成器件叉指燒傷,性能惡化或損壞。
聲表面波器件要達到較高的使用條件,以滿足惡劣環境使用要求,穩定性烘培和溫度循環是必須進行的兩個篩選試驗。其中穩定性烘培(對于聲表面波器件條件一般為:125℃,24小時)目的是在不施加應力的條件下確定高溫貯存對器件的影響。試驗過程中需放入或取出產品,這一過程易導致溫度劇變產生,如果不采取合理的靜電防護措施易產生靜電損傷。
此外,溫度循環(對于聲表面波器件條件一般為:-55℃~+125℃,循環5次,轉換時間≤1分鐘)目的是測定器件承受極端高溫和極端低溫的能力,以及極端高溫與極端低溫交替變化對器件的影響。在試驗過程中溫度急劇變化,對于采用鉭酸鋰和鈮酸鋰材料設計的聲表面波器件而言,由于晶片本身的熱釋電效應,極容易導致靜電燒傷,必須采取合理的靜電防護措施。
為了解決靜電燒傷問題,現有技術設計了多種夾具,用于聲表面波器件的裝夾以防止器件在溫度變化下的靜電燒傷。由于夾具加工精度和器件厚度誤差,以及不可避免的夾具在溫度變化過程中的變形等問題,始終存在聲表面波器件在涉及溫度變化試驗中的靜電燒傷問題,相應增加了制造成本,造成了較大的經濟損失。
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發明內容
針對現有技術存在的上述不足,本發明的目的是提供一種使用方便、能夠有效且低成本地防止聲表面波器件在溫度試驗中靜電燒傷的方法。
為了實現上述目的,本發明采用的技術方案如下:
一種防止聲表面波器件在溫度試驗中靜電燒傷的方法,包括聲表面波器件放入溫度試驗裝置和從溫度試驗裝置中取出;
聲表面波器件放入溫度試驗裝置時,先將聲表面波器件放入導電容器中,然后向導電容器中加入導電介質以將聲表面波器件完全填埋,再蓋上容器蓋,容器蓋為導電材料,最后將裝有聲表面波器件的導電容器放入溫度試驗裝置,使聲表面波器件在整個溫度試驗過程中有效接地;所述導電介質為顆粒狀或粉體狀;
聲表面波器件從溫度試驗裝置中取出時,先將聲表面波器件冷卻至室溫,然后將導電容器取出,打開容器蓋,將導電介質和聲表面波器件通過導電篩網分離即可。
所述導電容器內空高度為4-8倍聲表面波器件高度,導電容器在高低溫循環、有水霧和結冰情況下不產生銹斑。
本發明將待試驗產品埋于導電介質中,使輸入、輸出電極與接地電極在整個溫度試驗過程中有效電連通,即聲表面波器件在整個溫度試驗過程中有效接地,徹底避免靜電積累造成器件燒傷。
本方法不需要專用夾具,操作簡單方便,成本低,原材料具有通用性,防護效果顯著。
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附圖說明
圖1-本發明聲表面波器件溫度試驗裝埋示意圖。
圖2-本發明聲表面波器件溫度試驗后分離示意圖。
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具體實施方式
下面結合附圖對本發明作進一步詳細說明。
本發明防止聲表面波器件在溫度試驗中靜電燒傷的方法,主要涉及聲表面波器件放入溫度試驗裝置時的操作要求和從溫度試驗裝置中取出的操作要求。
聲表面波器件放入溫度試驗裝置時,先將聲表面波器件4放入導電容器1中平鋪,器件正反均可,但不能重疊。然后向導電容器1中加入顆粒狀或粉體狀的導電介質3以將聲表面波器件4完全填埋,再蓋上容器蓋2,容器蓋2也為導電材料,最后將裝有聲表面波器件的導電容器放入溫度試驗裝置,使聲表面波器件在整個溫度試驗過程中有效接地。裝埋效果如圖1所示。
本發明要求導電容器1內空高度為4-8倍聲表面波器件的高度,且導電容器在高低溫循環、有水霧和結冰情況下不產生銹斑。另外,要求導電介質的填埋厚度不得低于器件高度的3-6倍。
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