[發明專利]波長可變干涉濾波器及制造方法、光學模塊以及電子設備

有效

• 申請號: 201410001372.6
• 申請日: 2014-01-02
• 公開（公告）號: CN103913836B
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 佐野朗;北原浩司
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: G02B26/00
• 分類號: G02B26/00;G01J3/02
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 余剛,吳孟秋

1.一種波長可變干涉濾波器，其特征在于，具備：

第一基板；

與所述第一基板相對配置的第二基板；

設置在所述第一基板上的第一反射膜；

在所述第二基板上與所述第一反射膜相對設置的第二反射膜；

變更所述第一反射膜以及所述第二反射膜之間的間隙尺寸的間隙變更部；

與所述間隙變更部連接的布線部；

第三基板，所述第三基板具備與所述第一基板相對的頂面部以及設置于所述頂面部的周圍且與所述第一基板接合的側壁部；以及

接合部件，設置于所述第三基板的所述側壁部的端面和所述第一基板之間，所述接合部件接合所述端面和所述第一基板，

其中，所述端面和所述第一基板被接合，由所述第三基板的所述頂面部、所述側壁部以及所述第一基板圍成的空間被氣密密封，

在所述空間內配置有所述第二基板以及所述間隙變更部，

所述布線部設置于所述第一基板，跨所述空間的內外而設置，

所述接合部件被配置在所述布線部和所述端面之間。

2.根據權利要求1所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于，

所述間隙變更部具備設置于所述第一基板的第一電極、以及設置于所述第二基板且與所述第一電極相對配置的第二電極，

在所述第二基板上設置有與所述第二電極連接的連接電極，

所述布線部具備與所述第一電極連接的第一引出電極、以及與所述連接電極連接的第二引出電極。

3.根據權利要求1或2所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于，

所述布線部通過設置有所述接合部件的區域，跨所述空間的內外而延伸。

4.根據權利要求3所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于，

在所述第一基板中的與所述側壁部的所述端面相對的位置上設置有槽，所述布線部在所述槽內延伸。

5.根據權利要求3所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于，

所述接合部件是低熔點玻璃。

6.根據權利要求1或2所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于，

所述布線部貫通所述第一基板，跨所述空間的內外而延伸。

7.根據權利要求6所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于，

所述側壁部的所述端面以及所述第一基板通過設置在各自上的金屬膜之間的金屬接合而接合。

8.根據權利要求6所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于，

所述側壁部的所述端面以及所述第一基板采用低熔點玻璃而接合。

9.根據權利要求1或2所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于，

在所述第一基板和所述第三基板中的至少一方上設置有貫通孔，

所述波長可變干涉濾波器具備密封所述貫通孔的密封部件。

10.根據權利要求1或2所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于，

所述頂面部以及所述側壁部單獨構成。

11.根據權利要求10所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于，

所述頂面部以及所述側壁部的材料和所述第一基板相同。

12.根據權利要求10所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于，

所述頂面部的材料是硼硅玻璃，所述側壁部的材料是硅。

13.根據權利要求10所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于，

所述頂面部的材料是玻璃，所述側壁部的材料是金屬。