[發(fā)明專利]制備高導(dǎo)無(wú)氧銅鍍層的鍍液及制備高導(dǎo)無(wú)氧銅鍍層的工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410000809.4
• 申請(qǐng)日: 2014-01-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103757670A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳尊科
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 陳尊科
• 主分類號(hào): C25D3/38
• 分類號(hào): C25D3/38
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 鄭瑩

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及制備高導(dǎo)無(wú)氧銅鍍層的鍍液及制備高導(dǎo)無(wú)氧銅鍍層的工藝。

背景技術(shù)

工業(yè)純銅可以分為以下幾類：韌銅、磷脫氧銅、無(wú)氧銅，無(wú)氧銅的質(zhì)量品級(jí)最高，無(wú)氧銅的研制始于美國(guó)，在美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)中，除了OF、OFE外，還包括了無(wú)氧銅，OFE以及OF是公認(rèn)的兩種無(wú)氧銅的牌號(hào)，OFE多應(yīng)用于真空電子器件，而OF則在電導(dǎo)方面有著廣泛的應(yīng)用。

無(wú)氧銅具有很高的電導(dǎo)率，很好的變形性能，較好的熱導(dǎo)率，由于其特有的性質(zhì)，無(wú)氧銅在很多尖端技術(shù)領(lǐng)域或者民用商品中高檔的元器件領(lǐng)域，具有很廣泛的應(yīng)用，如高頻波導(dǎo)管，粒子加速器的腔體，電子射線管，音箱發(fā)燒線等等。

在目前的技術(shù)中，制備獲得的無(wú)氧銅鍍層，往往質(zhì)量品質(zhì)偏低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種制備高導(dǎo)無(wú)氧銅鍍層的鍍液及制備高導(dǎo)無(wú)氧銅鍍層的工藝。

本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：

一種制備高導(dǎo)無(wú)氧銅鍍層的鍍液，包括以下成份：190-220g/L的CuSO₄·5H₂O，60-100g/L的H₂SO₄，30～60mg/L的Cl^-，0.4～0.8mL/L的C-7A酸性鍍銅光澤劑，0.3～0.5mL/L的C-7B酸性鍍銅光澤劑，5～10mL/L的C-7C酸性鍍銅開(kāi)缸劑。

一種制備高導(dǎo)無(wú)氧銅鍍層的工藝，包括步驟：以高純度磷銅為陽(yáng)極，以工件為陰極，在鍍液中進(jìn)行電鍍即可。

所述的高純度磷銅中，銅含量＞99.5%，磷含量0.3%±0.1。

電鍍的溫度為20～35℃。

電鍍過(guò)程中，工件與鍍液相對(duì)運(yùn)動(dòng)。

電鍍過(guò)程中，陰極電流密度：1～3A/dm²。

電鍍過(guò)程中，陽(yáng)極電流密度：0.5～2A/dm²。

本發(fā)明的有益效果是：以本發(fā)明的鍍液配方和工藝，制備出的銅層中，含銅99.95%以上，含氧量＜0.003%，銅層導(dǎo)電率≥98%，密度≥8.92g/cm³。

具體實(shí)施方式

一種制備高導(dǎo)無(wú)氧銅鍍層的鍍液，包括以下成份：190-220g/L的CuSO₄·5H₂O，60-100g/L的H₂SO₄，30～60mg/L的Cl^-，0.4～0.8mL/L的C-7A酸性鍍銅光澤劑，0.3～0.5mL/L的C-7B酸性鍍銅光澤劑，5～10mL/L的C-7C酸性鍍銅開(kāi)缸劑。

提供氯離子的源物質(zhì)為含氯離子的物質(zhì)，優(yōu)選的，為氯化鉀、氯化鈉、氯化銨中的至少一種。

鍍液除了所含以上的成份之外，余量為水，以及，含氯離子的物質(zhì)在鍍液中電離釋放氯離子之后剩余的對(duì)應(yīng)陽(yáng)離子。

一種制備高導(dǎo)無(wú)氧銅鍍層的工藝，包括步驟：以高純度磷銅為陽(yáng)極，以工件為陰極，在鍍液中進(jìn)行電鍍即可。

所述的高純度磷銅中，銅含量（質(zhì)量百分比）＞99.5%，磷含量0.3%±0.1。

電鍍的溫度為20～35℃。

電鍍過(guò)程中，工件與鍍液相對(duì)運(yùn)動(dòng)。

電鍍過(guò)程中，陰極電流密度：1～3A/dm²。

電鍍過(guò)程中，陽(yáng)極電流密度：0.5～2A/dm²。

另外，陽(yáng)極包套，目的在于防止泄漏微小顆粒物。

下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說(shuō)明：

實(shí)施例1：

一種制備高導(dǎo)無(wú)氧銅鍍層的鍍液，包括以下成份：190g/L的CuSO₄·5H₂O，60g/L的H₂SO₄，30mg/L的Cl^-，0.4mL/L的C-7A酸性鍍銅光澤劑，0.3mL/L的C-7B酸性鍍銅光澤劑，5mL/L的C-7C酸性鍍銅開(kāi)缸劑。

提供氯離子的源物質(zhì)為氯化鈉。

一種制備高導(dǎo)無(wú)氧銅鍍層的工藝，包括步驟：以高純度磷銅為陽(yáng)極，以鋼板為陰極，在鍍液中進(jìn)行電鍍即可。

所述的高純度磷銅中，銅含量99.6%，磷含量0.3%±0.1。

電鍍的溫度為20～35℃。

電鍍過(guò)程中，工件與鍍液相對(duì)運(yùn)動(dòng)。

電鍍過(guò)程中，陰極電流密度：1A/dm²。