[發明專利]一種基于肖特基接觸的光敏有機薄膜晶體管及其制備方法

在審

• 申請號: 201410000784.8
• 申請日: 2014-01-02
• 公開（公告）號: CN103746074A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 鐘建;陳玉成;鄧鳴;顧可可;于軍勝
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/40;H01L51/10
• 代理公司: 成都華典專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 徐豐;楊保剛

1.基于肖特基接觸的光敏有機薄膜晶體管，包括襯底、柵電極、柵極絕緣層、具有光探測功能的有機層、源電極、漏電極，其特征在于，所述柵電極刻蝕在玻璃襯底上，柵極絕緣層位于柵電極表面上，有機層位于絕緣層上，源電極和漏電極分別位于有機層的左右兩端，所述有機層既為有機薄膜場效應晶體管器件的基本結構組成部分又作為敏感功能層；其中，有機層和源電極、漏電極形成肖特基接觸。

2.根據權利要求1所述的基于肖特基接觸的光敏有機薄膜晶體管，其特征在于，所述有機層為并五苯，厚度為5-500?nm。

3.根據權利要求1所述基于肖特基接觸的光敏有機薄膜晶體管，其特征在于，并五苯的HOMO能級約為4.9?eV，與之對應的形成肖特基接觸的金屬為功函數低的金屬Ag、Al、In?、Mg、Mg:?Ag(10:1)。

4.根據權利要求1所述基于肖特基接觸的光敏有機薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層為無機柵極絕緣層，其材料采用SiOx、Si3N4、Ta2O5、TiO2、Al2O3、鋯鈦酸鋇BZT、BST鈦酸鍶鋇，有機柵極絕緣層材料采用聚乙酸乙烯酯PVA、聚對乙烯苯酚PVP、聚苯乙烯PS、聚甲基丙烯酸甲脂PMMA、聚有機硅氧烷RSiOx、聚酞亞胺PI、苯并環丁烯BCB、聚四氟乙烯PTFE、丙烯晴鏈淀粉酶、聚對二甲基苯Parylene-C、硅基倍半氧烷樹脂SR、氰乙基普魯士藍CYEPL。

5.根據權利要求1所述的光敏有機薄膜晶體管，其特征在于，所述襯底由硅片、玻璃、聚合物薄膜或金屬箔制成。

6.一種基于肖特基接觸的光敏有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

①先對襯底進行徹底的清洗，清洗后干燥；

②在襯底表面制備柵電極；

③在柵電極上面制備柵極絕緣層并對絕緣層進行處理；

④在所述柵極絕緣層上制備用于探測光的有機層；

⑤在有機層上制備源電極和漏電極。

7.根據權利要求6所述的基于肖特基接觸的光敏有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述柵電極、源電極、漏電極通過真空熱蒸鍍、磁控濺射、等離子體增強的化學氣相沉積、絲網印刷、打印或旋涂中的任一方法制備。

8.根據權利要求6所述的基于肖特基接觸的光敏有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述柵極絕緣層通過等離子體增強的化學氣相沉積、熱氧化、旋涂或者真空蒸鍍中的任一方法制備。

9.根據權利要求6所述的基于肖特基接觸的光敏有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述有機層通過等離子體增強的化學氣相沉積、熱氧化、旋涂、真空蒸鍍、旋涂、滴膜、壓印、印刷或氣噴中的任一方法制備。