[發(fā)明專利]一種TiO2納米管陣列薄膜的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410000595.0
• 申請日: 2014-01-02
• 公開（公告）號: CN103741192A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡傳兵;羅華明;王攀;劉志勇
• 申請（專利權(quán)）人: 上海大學(xué)
• 主分類號: C25D11/26
• 分類號: C25D11/26
• 代理公司: 上海上大專利事務(wù)所(普通合伙) 31205
• 代理人: 顧勇華

1.一種TiO₂納米管陣列薄膜的制備方法，其特征在于具有以下的制備過程和步驟：

a.將鈦片剪切成尺寸相同的兩片鈦片，鈦片的尺寸為1.5cm*2.5cm，然后對兩鈦片邊緣進(jìn)行打磨，而后放入丙酮中超聲處理10～15min，接著用去離子水超聲處理10～15min；

b.取1.25g氟化銨溶于9ml去離子水，再與450ml乙二醇混合，然后放在攪拌器上攪拌10分鐘制得電解質(zhì)；

c.在室溫條件下將經(jīng)步驟a處理的兩片鈦片平行地浸入步驟b制得的電解質(zhì)中，一片為陽極，另一片為陰極，施加60V電壓，陽極氧化處理30～60min；若在溫度較低的冬天實(shí)驗(yàn)，可將電解質(zhì)容器置于平板爐上，平板爐溫度為30～55℃，保證電解質(zhì)中的溫度為20℃左右；

d.取出作為光陽極的鈦片，放入雙氧水中超聲處理10～15分鐘，然后用去離子水沖洗2～3次；

e.將步驟d處理的鈦片浸入步驟b新制備的電解質(zhì)中作為陽極，施加60V電壓，然后陽極氧化處理0.5～24h，之后將電壓迅速升高到80V，陽極氧化處理5min；

f.將步驟e處理的鈦片取出，置于平板爐上，緩慢升溫到120℃，然后按照120℃（10min）—180℃—260℃—325℃（5min）—350℃—375℃（5min）—420℃—450℃（15min）—490℃—510℃（30min）升溫曲線燒結(jié)；

g.將步驟f處理的鈦片浸入步驟b新制備的電解質(zhì)中作為陽極，施加80V電壓，陽極氧化處理5分鐘；

h.取出步驟g處理的鈦片，浸泡于濃度10％的雙氧水中，待膜從鈦片上脫落，將完整的膜轉(zhuǎn)移到蒸發(fā)皿中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟h中，10％的雙氧水是由10ml30％的H₂O₂溶液和20ml去離子水混合而成。